_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Рефераты > Проектирование лог. ключа в n-МОП базисе с квазилинейной нагрузкой

Проектирование лог. ключа в n-МОП базисе с квазилинейной нагрузкой

Страница: 2/3

 

Логический ключ с квазилинейной нагрузкой.

Электрическая схема ключа:

В логическом ключе с квазилинейной нагрузкой, нагрузочный транзистор должен работать в крутой области. Поэтому на работу такого ключа накладывается условие:

,

где

Тогда при подстановке этих значений в условие, а также после преобразования неравенства, получим:

при этом напряжение смещения затвора нагрузочного транзистора стараются брать не очень большим. Ток протекающий через нагрузочный транзистор описывается выражением:

Для простоты анализа схемы, будем предполагать, что

,

т. е. транзистор работает на границе между крутой и пологой областями. При этом допущении ток нагрузочного транзистора преобразуется в  выражение:

Также для простоты будем считать, что

Совместная ВАХ ключа показана на рис.1. Чтобы построить передаточную характеристику логического ключа, необходимо разобрать работу ключа в трех характерных точках (областях) ВАХ.

1.   

В этой области ключевой транзистор закрыт, значит напряжение на выходе равно уровню логической 1

.

2.   

Ток протекающий через нагрузочный транзистор равен току ключевого транзистора работающего в пологой области:

, при .

Тогда зависимость выходного напряжения от входного, определяется как

 и является линейной зависимостью.

Напряжение между второй и третьей областями, находится при наложении условия работы транзистора на границе между пологой и крутой областями:

.

Приравнивая две последнии формулы, получим граничное напряжение

3.   

Здесь ключевой транзистор работает в крутой области, следовательно

.

Выразить из этой формулы выходное напряжение достаточно сложно, но можно выразить входное напряжение от выходного, а затем проанализировать его.

.

Чтобы сказать какая это зависимость, лучше сначала эту формулу апроксимировать. Т. к. в третьей области напряжения на выходе малы и близки к нулю, то соответствующими членами в уравнении можно пренебречь:

, теперь можно выразить выходное напряжение

 и эта зависимость является гиперболической.

В результате внимательного рассмотрения трех характерных областей работы логического ключа, была построена на рис.2 передаточная характеристика этого ключа.

Полученные характеристики логического ключа с квазилинейной нагрузкой:

Методика расчета параметров компонентов nМОП ключа.

Напряжение источника питания равно

На входе логического элемента действует напряжение:

Пороговое напряжение транзистора при нулевом напряжении затвор-исток выражается из формулы для нахождения помехоустойчивости:

 Максимальный ток, при котором открыты ключевые транзисторы Т1 и Т2 в nМОП ключе, находится из выражения:

Напряжение смещения затвора нагрузочного транзистора (чтобы он работал в крутой области) рассчитывается по формуле:

Для расчета крутизн nМОП ключа, необходимо рассмотреть совместную выходную ВАХ работы этого ключа.  На рис.1 представлена такая совместная ВАХ трех транзисторов: нагрузочного Т3 и двух ключевых транзисторов Т1 и Т2, включенных параллельно, таким образом, что реализуется логическая схема ИЛИ-НЕ. Рассмотрим два случая, обозначенные на графике точками 1 и 2.

Случай 1. Потенциалы на обоих затворах ключевых транзисторов Т1 и Т2 одинаковы и равны уровню логической 1. Тогда при одинаковых транзисторах Т1 и Т2 ток нагрузочного транзистора Т3 равен:

и он не должен превышать ток указанный в техническом задании. А выходное напряжение ключа должно быть меньше, чем уровень логического 0:

Следовательно, точка 1 будет описываться следующей системой уравнений:

Эту систему можно преобразовать к виду:

Случай 2. В этом случае на одном из ключевых транзисторов действует уровень логической 1, а на другом - уровень логического 0. Поэтому весь ток протекающий через нагрузочный транзистор Т3 равен току протекающему только через один из двух ключевых транзисторов:

причем:

А выходной потенциал не должен превышать указанный уровень логического 0. В результате точка 2 на графике будет описана второй системой уравнений:

Затем эту систему можно привести к уравнению вида:

По этому уравнению можно сразу рассчитать отношение крутизн. Затем из уравнения выведенного в первом случае, после раскрытия скобок, преобразования и приведения подобных, получим уравнение вида:

,

где

тогда решением квадратного уравнения будет:

Воспользовавшись уравнениями из первого случая, находим соответствующие крутизны транзисторов, которые определяются как:

Размеры соответствующих транзисторов nМОП ключа выводятся из формулы для определения крутизны:

где удельная крутизна равна:

На размеры транзисторов накладывается дополнительное условие минимально допустимого размера элемента. Для поликремния эти условия равны:

т.е. при определении размеров канала, одна из двух величин (ширина или длина) должна быть равна минимально допустимому значению (в силу экономии места на пластине), а вторая величина соответственно должна быть больше или равна минимально допустимой. Затем производят округление полученных значений.

Расчет по указанным формулам производится с помощью программы написанной  на языке Паскаль SOLVE.PAS, Текст которой, а также результат работы программы приведены на страницах 1113.

После расчета всех параметров, проводят моделирование nМОП ключа на ЭВМ в среде PSPICE. Программы моделирования и расчета логического ключа, а также значения потребляемой мощности, передаточной и переходной характеристик показаны на страницах 1416. По передаточной и переходной характеристикам определяются соответственно статические и динамические параметры схемы, значения которых сведены в одну общую таблицу на странице 17.

 

Технологический маршрут изготовления простейшего МДПвентиля с самосовмещенным затвором.

1.  Выращивание тонкого подзатворного диэлектрика.

2.  Создание p+-охраны.

3.  Локальное окисление.

4.  Формирование поликремниевого затвора.

5.  Ионное n+-легирование через тонкий диэлектрик.

6.  Нанесение ФСС и вскрытие контактных окон.

7.  Металлизация алюминием.

8.  Пассивация.

 

Топологическое проектирование.

Минимизация логической функции в nМОП-базисе.

Минимизацию заданной логической функции F8 производим по карте Карно:

В результате минимизации получаем логическую функцию Fmin, которую преобразуем при помощи операций булевой алгебры в функцию удовлетворяющую nМОП-базису:

 

 

 

 

 

 

 

Электрическая схема в nМОП-базисе.

В соответствии с полученной логической функции Fmin и заданным видом нагрузочного транзистора, составляется электрическая схема логического nМОП ключа:

Определение параметров логического ключа по графическим характеристикам.

Наименование

Параметры

Значение

Размерность

Уровень логического 0 на выходе ключа

0.7791

В

Уровень логической 1 на выходе ключа

6

В

Разность логических уровней

5.2209

В

Пороговая точка переключения

3.14

В

Помехозащищенность логического 0

2.3609

В

Помехозащищенность логической 1

2.86

В

Помехоустойчивость логического 0

0.7909

В

Помехоустойчивость логической 1

1.96

В

Средняя потребляемая мощность ключа

0.384

мВт

Время среза импульса

22.04

нс

Время фронта импульса

237.4

нс

Время задержки переключения из 1 в 0

10.81

нс

Время задержки переключения из 0 в 1

44.05

нс

Среднее время задержки переключения

27.43

нс