Студентам > Дипломные работы > Разработка макета системы персонального вызова
Разработка макета системы персонального вызоваСтраница: 3/12
рейдет в состояние, в котором невозможно поглощение
света. При
достаточном времени почти все электроны перейдут в
такое
состояние. Пар, про который тогда говорят, что
произошла его
полная накачка, относительно прозрачен для света.
Если затем параллельно лучу света наложить ВЧ-поле,
то оно
перебросит электроны, изменяя при этом их спиновый
угловой мо-
мент. Фактически РЧ-поле заставляет электроны
перебрасываться
из одного более низкого состояния в другое,
"расстраивая" оп-
тическую накачку. Как следствие, пар вновь начинает
поглощать
свет. Радиочастотные и оптические эффекты объединяются,
давая
особенно острый резонанс, и именно на этом резонансном
явлении
работает магнитометр с оптической накачкой.
Энергия, требуемая для опрокидывания спина электрона,
и,
следовательно, частота ВЧ-поля, зависят от силы
магнитного по-
ля. В магнитометре контур обратной связи управляет
радиочасто-
той для поддержания минимального пропускания света.
Таким об-
разом, частота как бы служит мерой магнитного поля.
Магнито-
метр с оптической накачкой измеряет общее магнитное поле
любой
ориентации в отличие от большинства магнитометров,
которые из-
меряют только составляющую магнитного поля, лежащую
вдоль
чувствительной оси.
Чувствительность и динамический диапазон этого
магнитомет-
ра подобно большинству магнитометров определяется
регистрирую-
щей электроникой. Типичные значения чувствительности
прибора
имеют предел от 10Е-14 до 10Е-6 А/м.
Датчик имеет большие габариты и высокое потребление
мощ-
ности (несколько ватт). Конструкция оптического
магнитометра
показана на рис. 1.5.
1.2.4. Ядерный прецессионный магнитометр.
В ядерном прецессионном магнитометре используется
реакция
ядер атомов в жидких углеводородах, например бензоле, на
воз-
действие магнитного поля. Протоны в ядрах атомов
можно
рассматривать как малые магнитные диполи; поскольку они
враща-
ются и обладают электрическим зарядом, у них есть
небольшой
магнитный момент, подобный в некоторых отношениях
угловому мо-
менту вращающегося гироскопа. С помощью однородного
магнитного
поля, создаваемого при прохождении тока через катушку,
протоны
в жидкости могут быть временно выстроены в ряд. Когда
поляри-
зационный ток выключается, происходит прецессия
протонов от-
носительно окружающего магнитного поля. Ось спина
протона, не
выстроенного постоянным магнитным полем, подобно оси
гироскопа
вне линии гравитационного поля, проходит по окружности
относи-
тельно линии, параллельной полю. Скорость прохождения,
называ-
емая частотой прецессии, зависит от силы измеряемого
магнитно-
го поля. Прецессирующие протоны генерируют в катушке
сигнал,
частота которого пропорциональна величине магнитного
поля.
Конструкция этого магнитометра показана на рис. 1.6.
Ядерный прецессионный магнитометр имеет диапазон
чувстви-
тельности от 10Е-13 до 10Е-4 А/м, а их частотный
диапазон ог-
раничен стробирующей частотой жидкого водорода.
1.2.5. СКВИД-датчик.
Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик
(СКВИД)
является самым чувствительным датчиком магнитного
поля. Это
устройство основано на взаимодействии электрических
токов и
магнитных колебаний, наблюдаемых при охлаждении материала
ниже
температуры перехода в сверхпроводящее состояние.
Конструкция
датчика приведена на рис. 1.7.
Если линии магнитного поля проходят через кольцо из
сверх-
проводящего материала то в нем индуцируется
ток. При
отсутствии возмущений ток будет протекать сколько угодно
дол-
го. Величина индуцированного тока является весьма
чувствитель-
ным индикатором плотности потока поля. Кольцо может
реагиро-
вать на изменение поля, соответствующее долям одной
квантовой
единицы магнитного потока. При наличии в кольце тонкого
пере-
хода (переход Джозефсона) в нем наблюдаются колебания
тока.
Кольцо соединяют с ВЧ схемой, которая подает известное
поле
смещения и детектирует выходной сигнал. При
взаимодействии
двух двух волн образуется итерференционные полосы,
подобно
световым волнам. Подсчет полос позволяет с высокой
точностью
определить величину магнитного поля.
Кольцо изготавливают из свинца или ниобия
диаметром
несколько миллиметров. Для увеличения
чувствительности его
иногда включают в более крупную катушку. Диапазон
измеряемых
полей равен от 10Е-16 до 10Е-10 А/м.
1.2.6. Магниторезисторы.
Магниторезисторами называют полупроводниковые
приборы,
сопротивление которых меняется в магнитном поле.
Поскольку эф-
фект магнитосопротивления максимален в полупроводнике не
огра-
ниченом в направлении перпендикулярному току, то в
реальных
магниторезисторах стремятся максимально приблизится к
этому
условию. Наилучшим типом неограниченного образца является
диск
Карбино (см. рис. 1.8а).
Отклонение тока в таком образце при отсутствии
магнитного
поля нет и он направлен строго по радиусу. При наличии
поля
путь носителей заряда удлиняется и сопротивление
увеличива-
ется. Другой структурой магниторезистора является
пластина ши-
рина которой много больше длины (рис. 1.8б). Эти две
структуры
обладают наибольшим относительным изменением
сопротивления в
магнитном поле. Однако их существенным недостатком
является
малое абсолютное сопротивление при B=0, что
обусловлено их
конфигурацией. Для увеличения R применяют
последовательное
соединение резисторов. Например, в случае пластины
использу-
ется одна длинная пластина из полупроводника с
нанесенными ме-
таллическими полосками, делящими кристалл на области
длина ко-
торых меньше ширины. Таким образом, каждая область
между по-
лосками представляет собой отдельный магниторезистор.
Магниторезисторы обладают довольно большой
чувствитель-
ностью. Она лежит в пределах от 10Е-13 до 10Е-4 А/м.
Наиболь-
шей чувствительностью обладают магниторезисторы
изготовленные
из InSb-NiSb.
1.2.7. Магнитодиоды.
Магнитодиод представляет собой полупроводниковый
прибор с
p-n переходом и невыпрямляющими контактами, между
которыми на-
ходится область высокоомного полупроводника. Структура
и ти-
пичная ВАХ "торцевого" магнитодиода приведена
на рис. 1.9.
Действие прибора основано на магнитодиодном
эффекте. В
"длинных" диодах (d/L >> 1, где d - длина
базы, L - эффективн-
ная длина дифузионного смещения ) распределение
носителей, а
следовательно сопротивление диода (базы) определяется
длиной L
Уменьшение L вызывает понижение концентрации
неравновесных
носителей в базе, т. е. повышение ее сопротивления. Это
вызы-
вает увеличение падения напряжения на базе и уменьшение
на p-n
переходе (при U=const). Уменьшение падения напряжения
на p-n
переходе вызывает снижение инжекционного тока и
следовательно
дальнейшее увеличение сопротивление базы. Длину L можно
изме-
нять воздействуя на диод магнитным полем. Оно приводит к
зак-
ручиванию движущихся носителей и их подвижность
уменьшается,
следовательно уменьшается и L. Одновременно удлиняются
линии
тока, т. е. эффективная толщина базы растет. Это и есть
магни-
тодиодный эффект.
Нашей промышленностью выпускается несколько типов
магнито-
диодов. Их чувствительность лежит в пределах 10Е-9 до
10Е-2
А/м. Существуют также магнитодиоды способные
определять не
только напряженность магнитного поля но и его
направление.
1.2.8. Магнитотранзисторы.
Существует множество типов магнитотранзисторов. Они
могут
быть и биполярными, и полевыми, и однопереходными. Но
наиболь-
шей чувствительностью обладают двухколекторные
магнитотран-
зисторы (ДМТ). Структурная схема и способ включения ДМТ
пока-
заны на рис. 1.10.
ДМТ - это четырех электродные полуроводниковые
приборы
планарной или торцевой топологии. Инжектирующий контакт,
эмит-
тер, расположен между симметричными коллекторами.
Четвертый
контакт - базовый. Магнитное поле в зависимости от
направления
отклоняет инжектированные носители к одному из
коллекторов и
изменяет распределение токов между коллекторами.
Разность то-
ков коллекторов и определяет величину измеряемого
магнитного
поля. Она пропорциональна индукции магнитного поля, а
знак по-
казывает его направление. В области слабых полей ДМТ
обладает
очень высокой магниточувствительностью и хорошей
линейностью
ампер-тесловой характеристики. Они используются в
аппаратуре
требующей измерения индукции и знака магнитного поля,
напри-
мер, в магнитных компасах. В основном используются
кремний и
германий. Чувствительность магнитотранзисторов лежит в
преде-
лах 10Е-8 до 10Е-4 А/м.
1.2.9. Датчик на эффекте Холла.
Рассмотрим пластину полупроводника р-типа через
которую
протекает ток, направленный перпендикулярно внешнему
магнитно-
му полю. Сила Лоренца отклоняет дырки к верхней грани
пласти-
ны, в следствии чего их концентрация там увеличивается,
а у
нижней грани уменьшается. В результате пространственного
раз-
деления зарядов возникает электрическое поле,
направленное от
верхней грани к нижней. Это поле препятствует разделению
заря-
дов и, как только создаваемая им сила станет равной
силе Ло-
ренца, дальнейшее разделение зарядов прекратится (рис.
1.11).
Разность потенциалов между верхней и нижней гранями
образ-
ца равна :
V = E*a = v*B*a,
где а - ширина образца в
направлении протекания тока, B -
напряженность магнитного поля, v - скорость носителей.
Наибо-
лее существенное достоинство датчика Холла при
измерении им
напряженности магнитного поля - это линейность
измеряемого
напряжения от индукции магнитного поля. Датчики работают
в ди-
апазоне от 10Е-5 до 1 А/м.
Датчики Холла изготавливают либо из тонких
полупроводнико-
вых пластин, либо из напыленных тонких пленок. Для
изготовле-
ния используются полупроводники с высокой подвижностью
носите-
лей заряда.
1.2.10. Волоконно-оптический магнитомер.
Волоконно-оптический магнитомер (ВОМ) представляет
собой
новый вид датчика, который находится еще в процессе
разработ-
ки. В нем используются два стекловолоконных световода,
образу-
ющих интерферометр Маха-Цандера. Луч лазера проходит
через
светоделитель в оба волокна и рекомбинирует в
сумматоре,
поступая затем на фотодетектор в конце каждого волокна.
Один
из световодов либо намотан на магнитострикционный
материал,
либо покрыт им. Размеры магнитострикционного материала
зависят
|