Студентам > Курсовые > Разработка печатного узла портативного частотомера
Разработка печатного узла портативного частотомераСтраница: 3/5
По чертежу печатной платы определим максимальную длину проводника: lПР = 0,155 м
tпр = 0,035 мм; r = 0,175 Ом·мм2/м
; bпр = 0,425 мм; тогда DUПР =
0,11 В.
3.2. Определение
мощности потерь
,
где fT – тактовая частота работы схемы; UПИТ – напряжение питания схемы; tgd - тангенс угла диэлектрических
потерь материала печатной платы; С – емкость между слоями платы.
В качестве fT примем вдвое
увеличенную максимальную частоту входного сигнала частотомера: fT = 200 кГц. Исходя из схемы электрической
принципиальной UПИТ = 9 В. Для
стеклотекстолита tgd = 0,002. Для определения емкости воспользуемся следующей
формулой:
,
где e - диэлектрическая проницаемость
стеклотекстолита, e = 5,5; S – площадь печатных проводников . Примем площадь печатных
проводников равной десяти процентам площади одной стороны печатной платы, тогда
при размерах печатной платы 175 х 135 S = 2207 мм2
.
При таких данных С = 54,6 пФ. Тогда РПОТ = 1,1·10-5 Вт.
3.3. Определение
емкости между двумя параллельно идущими проводниками на одной стороне ПП
,
где LПР – максимальная длина параллельно
идущих проводников на одной стороне ПП; eЭФ
– эффективная диэлектрическая проницаемость, eЭФ
= 3,25; d – расстояние между краями проводников, d = ШКС – bПР. Тогда С =
1,613 пФ.
3.4. Определение взаимной индуктивности между двумя
параллельно идущими проводниками на одной стороне ПП
,
М=28,64·10-9 Гн
3.5. Определение
емкости между двумя параллельно идущими проводниками на разных сторонах ПП
,
где L= - максимальная длина двух параллельно
идущих проводников на разных сторонах ПП, исходя из чертежа ПП L= = 0,02 м.
х, r(х) – коэффициенты,
учитывающие краевой эффект: , х = 9,41; r(х)
= 3,042; тогда С1 = 6,31·10-14
Ф.
4. Размещение
конструктивных элементов
Для обеспечения минимальной длины проводников и минимального
количества переходных отверстий, т.е. оптимального размещения КЭ на ПП
применяется метод размещения КЭ с помощью матрицы связей. Для упрощения
расчетов в матрице связей учитывается только размещение ИМС. Дискретные
компоненты размещаются по возможности ближе к тем элементам, с которыми у них
наибольшее количество связей.
В матрицу связей заносится количество связей между элементами. В
нашем случае матрица связей имеет вид:
|
DA1
|
DD1
|
DD2
|
DD3
|
DD4
|
DD5
|
DD6
|
DD7
|
DD8
|
DD9
|
DD10
|
DD11
|
DD12
|
r
|
DA1
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
DD1
|
0
|
0
|
1
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
DD2
|
0
|
1
|
0
|
1
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
2
|
DD3
|
0
|
0
|
1
|
0
|
3
|
2
|
2
|
2
|
4
|
0
|
0
|
0
|
0
|
14
|
DD4
|
0
|
0
|
0
|
3
|
0
|
3
|
2
|
2
|
0
|
4
|
0
|
0
|
0
|
14
|
DD5
|
0
|
0
|
0
|
2
|
3
|
0
|
3
|
2
|
0
|
0
|
4
|
0
|
0
|
14
|
DD6
|
0
|
0
|
0
|
2
|
2
|
3
|
0
|
3
|
0
|
0
|
0
|
4
|
0
|
14
|
DD7
|
0
|
0
|
0
|
2
|
2
|
2
|
3
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
4
|
13
|
DD8
|
0
|
0
|
0
|
4
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
1
|
1
|
1
|
8
|
DD9
|
0
|
0
|
0
|
0
|
4
|
0
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
1
|
1
|
8
|
DD10
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
4
|
0
|
0
|
1
|
1
|
0
|
1
|
1
|
8
|
DD11
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
4
|
0
|
1
|
1
|
1
|
0
|
1
|
8
|
DD12
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
4
|
1
|
1
|
1
|
1
|
0
|
8
|
|