Студентам > Курсовые > Разработки функциональной схемы и определение ее быстродействия
Разработки функциональной схемы и определение ее быстродействияСтраница: 2/11
Rн=100 Ом.
- 6 -
3. РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
3.1. РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОГО
ЭЛЕМЕНТА
Важнейшими характеристиками ИМС серии 500
являются входная,пере-
даточная и выходная характеристики.
ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Входная характеристика используется для
определения нагрузочной
способности элементов при работе на аналогичные
элементы или при под-
ключении их в качестве нагрузки к специальным
элементам , а также для
оценки помехозащищенности элементов. Входная
характеристика представ-
ляет собой зависимость входного тока от входного
напряжения.
На входной характеристике ЭСЛ элемента можно
выделить четыре об-
ласти, соответствующие четырем возможным режимам
работы входной цепи
ИС: 1 - входной транзистор закрыт ; входной ток
определяется сопро-
тивлением базового резистора,подключенного ко входу;
2 - происходит
отпирание входного транзистора; нелинейный участок
определяется воз-
растающим базовым током входного транзистора; 3 -
входной транзистор
открыт; входной ток незначительно увеличивается
из-за увеличения
эмиттерного тока ТП и увеличения тока через
базовый резистор; 4 -
входной транзистор открыт до насыщения; базовый ток
транзистора зна-
чительно увеличивается при повышении входного
напряжения (режим нера-
бочий).
ПЕРЕДАТОЧНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Передаточная характеристика представляет собой
зависимость вы-
ходного напряжения микросхем от входного напряжения
при переключении
схемы из одного состояния в другое. На
передаточной хапрактеристике
можно выделить четыре области : 1 - область
установившгося значения
низкого выходного напряжения лог."1" для
прямого и высокого напряже-
ния лог."0" для инверсного выходов; 2-зона
переключения из "1" в "0"
для прямого и из "0" в "1"
инверсного выходов ; 3 - область устано-
вившегося значения "0" для прямого и
"1" для инверсного выходов ( в
этой области характеристика имеет некоторый наклон,
вследствие неиде-
альности генератора тока ТП ) ; 4 - область
насыщения для инверснго
плеча ТП.
Передаточная характеристика основного элемента
может быть ис-
пользована для анализа выходных уровней напряжения в
различных режи-
мах работы , оценки формирующих средств и
помехозащищенности элемен-
тов , определения их совместной работы с другими
логическими элемен-
тами или специальными элементами.
- 7 -
Для всех расчетов статических и динамических
параметров базового
элемента принят вариант его работы:
Вариант работы: Ро= Сн= M= 6
┌───────────────────────────────────────────────────────────────────┐
│ Расчёт статического режима работы ЛЭ
ЭСЛ │
│
│
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │
│ Rн= 100 Ом E1= -4.5
В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│ │
├───────────────────────────
E2= -1.8 В ──────────────────────────┤
│
│
│ Ro( 0) = 400.00 Ом RK1( 0) = 111.56 Ом
RK2( 0) = 129.64 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА
Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = 99.01 мкА Iнбэп = 19.80
мкА │
│ Iвэп = 10.00 мА Iнэп = 2.00
мА │
│ Pвэп = 10.00 мВт Pнэп = 2.00
мВт │
│ Pсум = 37.00 мВт Po = 25.00
мВт │
│
│
├───────────────────────────
E2= -2.0 В ──────────────────────────┤
│
│
│ Ro( 1) = 400.00 Ом RK1( 1) = 111.56 Ом
RK2( 1) = 129.64 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА
Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = 118.81 мкА Iнбэп = 39.60
мкА │
│ Iвэп = 12.00 мА Iнэп = 4.00
мА │
│ Pвэп = 24.00 мВт Pнэп = 8.00
мВт │
│ Pсум = 57.00 мВт Po = 25.00
мВт │
│
│
├───────────────────────────
E2= -2.2 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 2) = 400.00 Ом RK1( 2) = 111.56 Ом
RK2( 2) = 129.64 Ом │
│ Io = 6.25 мА Io*B = 7.25 мА
Io*H = 5.25 мА │
│ Iвбэп = 138.61 мкА Iнбэп = 59.41
мкА │
│ Iвэп = 14.00 мА Iнэп = 6.00
мА │
│ Pвэп = 28.00 мВт Pнэп = 12.00
мВт │
│ Pсум = 65.00 мВт Po = 25.00
мВт │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│
│
│ Rн= 100 Ом E1= -5.0
В │
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
- 8 -
╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡
│
│
├───────────────────────────
E2= -1.8 В ──────────────────────────┤
│
│
│ Ro( 3) = 600.00 Ом RK1( 3) = 143.18 Ом
RK2( 3) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА
Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = 99.01 мкА Iнбэп = 19.80
мкА │
│ Iвэп = 10.00 мА Iнэп = 2.00
мА │
│ Pвэп = 10.00 мВт Pнэп = 2.00
мВт │
│ Pсум = 37.00 мВт Po = 25.00
мВт │
│
│
├───────────────────────────
E2= -2.0 В ──────────────────────────┤
│ │
│ Ro( 4) = 600.00 Ом RK1( 4) = 143.18 Ом
RK2( 4) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА
Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = 118.81 мкА Iнбэп = 39.60
мкА │
│ Iвэп = 12.00 мА Iнэп = 4.00
мА │
│ Pвэп = 24.00 мВт Pнэп = 8.00
мВт │
│ Pсум = 57.00 мВт Po = 25.00
мВт │
│ │
├───────────────────────────
E2= -2.2 В ──────────────────────────┤
│
│
│ Ro( 5) = 600.00 Ом RK1( 5) = 143.18 Ом
RK2( 5) = 162.58 Ом │
│ Io = 5.00 мА Io*B = 5.67 мА
Io*H = 4.33 мА │
│ Iвбэп = 138.61 мкА Iнбэп = 59.41
мкА │
│ Iвэп = 14.00 мА Iнэп = 6.00
мА │
│ Pвэп = 28.00 мВт Pнэп = 12.00
мВт │
│ Pсум = 65.00 мВт Po = 25.00
мВт │
├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤
| 
Главная
Документация
Файлы
Информация
