_WELCOMETO Radioland
Добавить свое объявление
Загрузка...

русскийукраїнськаenglish Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50 Апрель 3, 2025  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Курсовые > Разработки функциональной схемы и определение ее быстродействия

Разработки функциональной схемы и определение ее быстродействия

Страница: 2/11

     Rн=100 Ом.

 

 

                                - 6 -

 

          3. РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

 

          3.1. РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА

 

          Важнейшими характеристиками ИМС серии 500 являются входная,пере-

     даточная и выходная характеристики.

 

          ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

 

          Входная характеристика используется для определения  нагрузочной

     способности элементов при работе на аналогичные элементы или при под-

     ключении их в качестве нагрузки к специальным элементам , а также для

     оценки помехозащищенности элементов. Входная характеристика представ-

     ляет собой зависимость входного тока от входного напряжения.

          На входной характеристике ЭСЛ элемента можно выделить четыре об-

     ласти, соответствующие четырем возможным режимам работы входной  цепи

     ИС: 1 - входной транзистор закрыт ; входной ток  определяется  сопро-

     тивлением базового резистора,подключенного ко входу; 2  -  происходит

     отпирание входного транзистора; нелинейный участок определяется  воз-

     растающим базовым током входного транзистора; 3 - входной  транзистор

     открыт; входной  ток  незначительно  увеличивается  из-за  увеличения

     эмиттерного тока ТП и увеличения тока через  базовый  резистор;  4  -

     входной транзистор открыт до насыщения; базовый ток транзистора  зна-

     чительно увеличивается при повышении входного напряжения (режим нера-

     бочий).

 

 

          ПЕРЕДАТОЧНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

 

          Передаточная характеристика представляет собой  зависимость  вы-

     ходного напряжения микросхем от входного напряжения при  переключении

     схемы из одного состояния в другое. На  передаточной  хапрактеристике

     можно выделить четыре области : 1 - область  установившгося  значения

     низкого выходного напряжения лог."1" для прямого и высокого  напряже-

     ния лог."0" для инверсного выходов; 2-зона переключения из "1" в  "0"

     для прямого и из "0" в "1" инверсного выходов ; 3 -  область  устано-

     вившегося значения "0" для прямого и "1" для инверсного выходов  (  в

     этой области характеристика имеет некоторый наклон, вследствие неиде-

     альности генератора тока ТП ) ; 4 - область насыщения  для  инверснго

     плеча ТП.

          Передаточная характеристика основного элемента  может  быть  ис-

     пользована для анализа выходных уровней напряжения в различных  режи-

     мах работы , оценки формирующих средств и помехозащищенности  элемен-

     тов , определения их совместной работы с другими логическими  элемен-

     тами или специальными элементами.

 

 

                                - 7 -

 

          Для всех расчетов статических и динамических параметров базового

     элемента принят вариант его работы:

 

          Вариант работы: Ро=    Сн=    M= 6

 

     ┌───────────────────────────────────────────────────────────────────┐

     │     Расчёт статического режима работы ЛЭ ЭСЛ                      │

     │                                                                   │

     ├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤

     │                                                                   │

     │ Rн=  100 Ом  E1= -4.5 В                                           │

     ╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡

     │                                                                   │

     ├───────────────────────────  E2= -1.8 В  ──────────────────────────┤

     │                                                                   │

     │ Ro( 0) = 400.00 Ом   RK1( 0) = 111.56 Ом   RK2( 0) = 129.64 Ом    │

     │ Io     =   6.25 мА   Io*B    =   7.25 мА   Io*H    =   5.25 мА    │

     │ Iвбэп  =  99.01 мкА  Iнбэп   =  19.80 мкА                         │

     │ Iвэп   =  10.00 мА   Iнэп    =   2.00 мА                          │

     │ Pвэп   =  10.00 мВт  Pнэп    =   2.00 мВт                         │

     │ Pсум   =  37.00 мВт  Po      =  25.00 мВт                         │

     │                                                                   │

     ├───────────────────────────  E2= -2.0 В  ──────────────────────────┤

     │                                                                   │

     │ Ro( 1) = 400.00 Ом   RK1( 1) = 111.56 Ом   RK2( 1) = 129.64 Ом    │

     │ Io     =   6.25 мА   Io*B    =   7.25 мА   Io*H    =   5.25 мА    │

     │ Iвбэп  = 118.81 мкА  Iнбэп   =  39.60 мкА                         │

     │ Iвэп   =  12.00 мА   Iнэп    =   4.00 мА                          │

     │ Pвэп   =  24.00 мВт  Pнэп    =   8.00 мВт                         │

     │ Pсум   =  57.00 мВт  Po      =  25.00 мВт                         │

     │                                                                   │

     ├───────────────────────────  E2= -2.2 В  ──────────────────────────┤

     │                                                                   │

     │ Ro( 2) = 400.00 Ом   RK1( 2) = 111.56 Ом   RK2( 2) = 129.64 Ом    │

     │ Io     =   6.25 мА   Io*B    =   7.25 мА   Io*H    =   5.25 мА    │

     │ Iвбэп  = 138.61 мкА  Iнбэп   =  59.41 мкА                         │

     │ Iвэп   =  14.00 мА   Iнэп    =   6.00 мА                          │

     │ Pвэп   =  28.00 мВт  Pнэп    =  12.00 мВт                         │

     │ Pсум   =  65.00 мВт  Po      =  25.00 мВт                         │

     ├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤

     │                                                                   │

     │ Rн=  100 Ом  E1= -5.0 В                                           │

     ╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡

 

                                - 8 -

 

     ╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡

     │                                                                   │

     ├───────────────────────────  E2= -1.8 В  ──────────────────────────┤

     │                                                                   │

     │ Ro( 3) = 600.00 Ом   RK1( 3) = 143.18 Ом   RK2( 3) = 162.58 Ом    │

     │ Io     =   5.00 мА   Io*B    =   5.67 мА   Io*H    =   4.33 мА    │

     │ Iвбэп  =  99.01 мкА  Iнбэп   =  19.80 мкА                         │

     │ Iвэп   =  10.00 мА   Iнэп    =   2.00 мА                          │

     │ Pвэп   =  10.00 мВт  Pнэп    =   2.00 мВт                         │

     │ Pсум   =  37.00 мВт  Po      =  25.00 мВт                         │

     │                                                                   │

     ├───────────────────────────  E2= -2.0 В  ──────────────────────────┤

     │                                                                   │

     │ Ro( 4) = 600.00 Ом   RK1( 4) = 143.18 Ом   RK2( 4) = 162.58 Ом    │

     │ Io     =   5.00 мА   Io*B    =   5.67 мА   Io*H    =   4.33 мА    │

     │ Iвбэп  = 118.81 мкА  Iнбэп   =  39.60 мкА                         │

     │ Iвэп   =  12.00 мА   Iнэп    =   4.00 мА                          │

     │ Pвэп   =  24.00 мВт  Pнэп    =   8.00 мВт                         │

     │ Pсум   =  57.00 мВт  Po      =  25.00 мВт                         │

     │                                                                   │

     ├───────────────────────────  E2= -2.2 В  ──────────────────────────┤

     │                                                                   │

     │ Ro( 5) = 600.00 Ом   RK1( 5) = 143.18 Ом   RK2( 5) = 162.58 Ом    │

     │ Io     =   5.00 мА   Io*B    =   5.67 мА   Io*H    =   4.33 мА    │

     │ Iвбэп  = 138.61 мкА  Iнбэп   =  59.41 мкА                         │

     │ Iвэп   =  14.00 мА   Iнэп    =   6.00 мА                          │

     │ Pвэп   =  28.00 мВт  Pнэп    =  12.00 мВт                         │

     │ Pсум   =  65.00 мВт  Po      =  25.00 мВт                         │

     ├───────────────────────────────────────────────────────────────────┤



   
Добавить свое объявление
Загрузка...