| Студентам > Рефераты > Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 
 Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2Страница: 1/10
 
 
 Аннотация.                     Целью работы является активизация
самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск,
пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики,
эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.   Исходные данные:         Тип транзистора   …………………………………………………………………      ГТ310Б  Величина напряжения питания Еп
……………………………………………...          5   В Сопротивление коллекторной нагрузки
Rк
……………………………………       1,6   кОм Сопротивление нагрузки
Rн …………………………………………………….      1,8    кОм     Схема включения
транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно-
ёмкостной связью с нагрузкой.    Биполярный транзистор ГТ310Б.       Краткая словесная характеристика:                     Транзисторы германиевые диффузионно-
сплавные p-n-p усилительные с нормированным
коэффициентом шума высокочастотные маломощные.                 Предназначены для работы в усилителях
высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на этикетке.                 Масса транзистора не более 0,1 г..       Электрические параметры.     Коэффициент шума при ƒ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более …………….         3 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала                 при Uкб=
5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц ………………………………..    
60 – 180 Модуль коэффициента передачи тока H21э при Uкб=
5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 20 МГц не менее
…………………………...          8 Постоянная времени цепи обратной связи                  при Uкб=
5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 5 МГц не более
………………………….…     300 пс Входное  сопротивление в схеме с общей базой                  при Uкб=
5 В, IЭ= 1 мА ……………………………………………………      
38 Ом Выходная проводимость в схеме с общей базой                 при Uкб=
5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц не более
……………………..       3 мкСм Ёмкость коллектора при Uкб=
5 В, ƒ = 5 МГц не
более …………………………          4 пФ       Предельные эксплуатационные данные.     Постоянное напряжение коллектор- эмиттер: при Rбэ=
10 кОм ……………….…………………………………………         10 В при Rбэ=
200 кОм ……………….………………………………………..           6 В Постоянное напряжение коллектор- база
………………………………………...         12 В Постоянный ток коллектора ………………………………………………………         10
мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 –
308 К ………...         20 мВт Тепловое сопротивление переход- среда
………………………………………...        2 К/мВт Температура перехода …………………………………………………………….        348 К Температура окружающей среды ………………………………………………...     От
233 до       328 К                   Примечание. Максимально
допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 –
328  К определяется по формуле:   PК.макс=
( 348 – Т )/ 2   
 Входные характеристики.                   Для температуры Т = 293 К :     
 
  |    Iб, мкА
 |   |   |   |   |   |   |   |   |  
  |  200
 |   |   |   |   |   |   |   |   |  
  | 160 |   |   |   |   |   |   |   |   |  
  |  120
 |   |   |   |   |   |   |   |   |  
  | 80 |   |   |   |   |   |   |   |   |  
  | 40 |   |   |   |   |   |   |   |   |  
  |  0
 | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | 0,25 | 0,3 | 0,35 | Uбэ,В     |  
 
 |