Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП – типа

Рисунок 3.5 График обратной ветви ВАХ диода Iобр=f(Uобр)

Зависимость описывается формулой:

(3.28)

Результаты расчётов генерационных токов диода представлены в таблице 3.3. На основании полученных данных построена зависимость Iг=f(Uобр) (рисунок 3.6).

Таблица 3.3 Зависимость Iг=f(Uобр)

Рисунок 3.6 График зависимости Iг=f(Uобр)

Зависимость коэффициента лавинного умножения от обратного напряжения на диоде описывается формулой:

(3.29)

Таблица 3.4 Зависимость М=f(Uобр)

Рисунок 3.7 График зависимости М=f(Uобр)

Зависимость Iдо = f (T) теплового тока диода описывается формулой:

(3.30)

где Iдо (To) – ток диода при температуре Т=300о С;

αsi = 0,16 К-1;

ΔT = 20° К.

Таблица 3.5 Зависимость Iдо = f (T)

Рисунок 3.8 График зависимости Iдо = f (T)

Температурную зависимость обратного тока рассчитываем по формуле:

(3.31)

где Т*=10° К. Температурную зависимость обратного тока следует рассчитывать для температур в диапазоне 300…420 К. Обратное напряжение принять равным рабочему обратному напряжению [6].

Таблица 3.6 Зависимость Iобр = f (T)

Рисунок 3.9 График зависимости Iобр = f (T)

4 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРА

Исходные данные для расчетов:

Zк=1500*10-4 см — ширина п/п структуры;

Lk=6*10 -4 см — длина канала;

d=0,16*10-4 см — толщина оксидного слоя (изолятора затвора);

1	2	3	4	5	6