Усилитель вертикального отклонения

Сопротивление эмиттера рассчитывается по формуле:

Где - температурный потенциал, мВ;

Iep- ток эмиттера в рабочей точке, мА.

= 26 мВ

Iep= Ik1p = 31,2 мА,

re = 0,833 Ом.

Крутизна прямой передаточной характеристики:

Si = 1154 мА/В.

Внутренняя (физическая) крутизна транзистора:

S = 789 мА/В.

Емкость коллекторного перехода транзистора в р.т.:

где Сk0 – значение емкости коллекторного перехода при Uke= Uke0;

Uke0 – напряжение коллектор-эмиттер;

Uke – напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке.

Сk0 = 10,3 пФ,

Uke0 = 1 В – значения берем из технической документации на транзистор (см. прил.2.);

Uke = Uke2р = 42 В – рассчитано в п.4.4.4;

Сk = 1,59 пФ.

Частота единичного усиления транзистора:

fТ = 90 МГц – берем из технической документации (см. прил.2)

Из формулы следует, что τТ = 1,769 нс.

Граничная частота коэффициента передачи тока базы:

fß = 3,46 МГц.

τß= 46 нс.

Диффузионная емкость эмиттера:

Cbe = 2,12 нФ.

Граничная частота крутизны транзистора:

где = 2 нс.

fs = 160 МГц.

Граничная частота передачи тока эмиттера:

.

Рассчитаем параметры rb re, Si, S, h11e, h22e, Ck, tb,tT транзисторов VT3, VT4 (2sc3597).

Входное сопротивление рассчитывается по формуле (18):

h11e = 76,5 Ом.

Сопротивление базы:

rb = 10 Ом – берем из справочных данных на транзистор (см. прил.3.).

Сопротивление эмиттера рассчитывается по формуле (19):

= 26 мВ

Iep= Ik1p = 30 мА,

re = 0,867 Ом.

Крутизна прямой передаточной характеристики рассчитывается по формуле (20):

Si = 1200 мА/В.

Внутренняя (физическая) крутизна транзистора рассчитывается по формуле (21):

ß = 110 – берем из технических характеристик транзистора (см. прил.3)

S = 1035мА/В.

Внутреннее сопротивление транзистора ОЭ при управлении от идеального источника напряжения (внутреннее сопротивление источника Rg = 0)

где rk* - сопротивление коллекторного перехода в схеме ОЭ, Ом

Ua – напряжение Эрли, обусловленное крутизной транзистора, В.

Ua = 80,7 В – значение получено при создании SPICE-модели транзистора;

Ikр = Ik1р = 30 мА – рассчитано в п.4.4.4.

rk* = 2,69 кОм.

Отсюда получаем значение:

h22e = 0,37 мА/В.

Внутренняя проводимость транзистора в каскаде ОЭ при управлении от источника напряжения с ненулевым внутренним сопротивлением ():

где Rg – сопротивление генератора.

Rg = 51 Ом -задаем низкое выходное сопротивление предшествующего каскада;

gig = 0,15 мА/В.

Емкость коллекторного перехода транзистора в р.т. рассчитываем по формуле (22):

Сk0 = 14,57 пФ,

Uke0 = 0,6 В – значения берем из технической документации на транзистор (см. прил.3.);

Uke = Uke1р = 5 В – рассчитано в п.4.4.4;

Сk = 5,05 пФ.

Частота единичного усиления транзистора:

fТ = 800 МГц – берем из технической документации (см. прил.3)

Из формулы (23) следует, что τТ = 200 пс.

Граничная частота коэффициента передачи тока базы рассчитывается по формуле (24):

fß = 7,27 МГц.

Из формулы (24) следует: τß= 21 нс.

Диффузионная емкость эмиттера рассчитывается по формуле (25):

Cbe = 218 пФ.

Граничная частота крутизны транзистора рассчитывается по формуле (26):

где = 2,74 нс.

fs = 58 МГц.

Граничная частота передачи тока эмиттера:

.

4.4.7. Расчет емкости нагрузки.

Согласно формуле (5) емкость нагрузки равна:

Сн = 12 пФ.

4.4.8. Выбор сопротивления Rgисточника сигнала ОК.

Сопротивление источника сигнала – выходное сопротивление предшествующего каскада. Исходя из предполагаемой схемотехники:

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13