Студентам > Курсовые > Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора
Устройство селективного управления работой семисегментного индикатораСтраница: 6/8
DIP14 Керамический
Тип микросхемы |
К555ЛА4 |
Фирма производитель |
СНГ |
Функциональные особенности |
3 элемента 3И-НЕ |
Uпит |
5В ± 5% |
Uпит (низкого ур-ня) |
≤ 0,5В |
Uпит (высокого ур-ня) |
≥ 2,7В |
Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) |
≤ 1,2мА |
Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) |
≤ 0,8мА |
Iвых (низкого ур-ня) |
≤ |-0.36|мА |
Iвых (высокого ур-ня) |
≤ 0,02мА |
P |
11,8мВт |
tзадержки |
15нСек |
Kразвёртки |
20 |
Корпус |
DIP14 | К555ЛН1 Шесть инверторов
№ выв. | Назначение | № выв. | Назначение | 1 2 3 4 5 6 7 |
Вход Х1
Выход Y1
Вход Х2
Выход Y2
Вход Х3
Выход Y3
Общий | 8 9 10 11 12 13 14 |
Выход Y4
Вход Х4
Выход Y5
Вход Х5
Выход Y6
Вход Х6
Ucc |
DIP14 Пластик
Тип микросхемы |
К555ЛН1 |
Фирма производитель |
СНГ |
Функциональные особенности |
6 инверторов |
Uпит |
5В ± 5% |
Uпит (низкого ур-ня) |
≤ 0,5В |
Uпит (высокого ур-ня) |
≥ 2,7В |
Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) |
≤ 6,6мА |
Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) |
≤ 2,4мА |
Iвых (низкого ур-ня) |
≤ |-0.36|мА |
Iвых (высокого ур-ня) |
≤ 0,02мА |
P |
23,63мВт |
Tзадержки |
≤ 20нСек |
Kразвёртки |
20 |
Корпус |
DIP14 | К555ЛН2 Шесть инверторов с открытым коллекторным выходом
№ выв. | Назначение | № выв. | Назначение | 1 2 3 4 5 6 7 |
Вход Х1
Выход Y1
Вход Х2
Выход Y2
Вход Х3
Выход Y3
Общий | 8 9 10 11 12 13 14 |
Выход Y4
Вход Х4
Выход Y5
Вход Х5
Выход Y6
Вход Х6
Ucc |
DIP14 Пластик
|