Студентам > Курсовые > Расчёт супергетеродинного приёмника ДВ, СВ волн
Расчёт супергетеродинного приёмника ДВ, СВ волнСтраница: 8/9
Ik0=(1,05¸1,2)*Ikm=3,234мА¸3,696мА, выбираю 3,5мА
3. Так как в пункте 1.2.12. я выбрал транзистор КТ315Б, то выписываю его параметры:
Iк макс |
bмакс |
bмин |
Uкэмакс |
fгр |
Uкэ0 |
Rмм |
Ск |
100мА |
350 |
50 |
30В |
100МГц |
15В |
670 0С/Вт |
7пФ |
4. Рассчитываю сопротивления Rэ и Rк:
Rк=0,4*Ек/Iк0=0,4*6В/3,5мА=685,71Ом
Rэ=0,2*Ек/Iк0=0,2*6В/3,5мА=342,85Ом
Принимаю
Rк=1кОм по ряду Е24 типа МЛТ- 0,125
Rэ=360Ом по ряду Е24 типа МЛТ- 0,125
5. Рассчитываю напряжение Uкэ0:
Uкэ0=Ек-Iк0*Rк- Iк0*Rэ=6В-3,5мА*1000Ом-3,5мА*360Ом=6В-3,5В-1,26В=1,24В
6. По статическим характеристикам транзистора для значений Uкэ0 и Iк0 нахожу методом треугольника:
Uкэ0 |
Ik0 |
Iб0 |
Uбэ0 |
Rвхоэ |
1,24В |
3,5мА |
0,05мА |
0,43В |
40Ом |
7. Определяю максимальную и минимальную температуру перехода транзистора:
Тпмакс=Токрмакс + Iк0*Uкэ0*Rмм=300С+3,5мА*1,24В*670 0С/Вт= =300С+2,90С=32,9»330С
Тпмин =Токрмин + Iк0*Uкэ0*Rмм=00С+3,5мА*1,24В*670 0С/Вт= 00С+2,90С=2,9»30С
8. Определяю минимальное и максимальное напряжение Uбэ0, и максимальный ток Iкн:
Uбэ0макс= Uбэ0+0,0022*(20-Тпмин)=0,43В+0,0022*(20-3)=0,43+0,0374= =0,4674В
Uбэ0мин= Uбэ0+0,0022*(Тпмакс-20)=0,43В+0,0022*(33-20)=0,43+0,0286=
=0,4586В.
Так как транзистор КТ315Б кремневый то ток Iкн макс определяю по формуле:
Iкнмакс=Iкнс*3(Тпмакс-Тс)/10, где Iкнс= Iкн макс *1,5, а Тс температура при которой указано Iкн макс.
Iкнс= Iкн макс 1,5=3,5мА*1,5=5,25мА
Тс=250С
Iкнмакс=Iкнс*3(Тпмакс-Тс)/10=5, 25*3(33-25)/10=12,64мА
9. Определяю R2:
R2=6*Rвхоэ=6*8600=51600Ом
Принимаю R2=51кОм по ряду Е24 типа МЛТ-0.125
10. Принимаю падение напряжения на Rф равным 1.5 В, тогда:
Ек’=Ек-Urф=6-1,5=4,5В
11. Определяю сопротивление R1:
R1=R2*[bmin/(bmin+1)*(Ek’-Uбэ0макс)-Rэ*Iк0мин] / [(Rэ+R2)*Iк0мин-
-bмин/(bмин+1)*(Iк0мин*R2-Uбэ0макс)] =51000*[50/(50+1)*(4.5-0.4674)-
-360*0.0035]/[(360+51000)*0.0035-50/(50+1)*(0.0035*51000-0.4674)]=
=51000*[0.2431-1.26]/[179.76-0.0055]=-288Ом=288Ом
Принимаю R1=270Ом по ряду Е24 типа МЛТ-0,125
Рассчитываю Iк0макс и Uкэ0мин, которые не должны превышать справочные значения:
Iк0макс=вмакс/(вмакс+1)*[(Ек’*R2-Uбэ0мин*(R1+R2)+Iкнмакс* *(Rэ*(R1+R2)+R1*R2)]/[Rэ*(R1+R2)+R1*R2/(вмакс+1)]=350/(350+1)*[(4.5*
*51000-0.4586*(270+51000)+0,01264*(360*(270+51000)+270*51000)]/[
360*(270+51000)+270*51000/(350+1)]=350/351*[229500-23512+
+407351,8]/[18457200+39230.7]=0,033А=33,06мА
Uкэ0мин=Ек-Iк0макс*Rк-[(вmax+1)*(Iк0макс-Iкнмакс)*Rэ]/вmax=
=6-0,033*1000-[(350+1)*(0,033-0,01264)*360]/350=6-20,2-[2572,6]/350=
=6-3,3-1,98=0,72В
Так как значения не превышают справочные, то транзистор выбран правильно.
12. Определяю сопротивление Rк»:
Rдел сл=R1сл*R2сл/(R1сл+R2сл)=50000*10000/(50000+10000)=8333,33Ом
Rк»=Rк*Rделсл*RвхТрсл/[Rк*Rделсл+Rк*RвхТрсл+Rделсл*RвхТрсл]=
=1000*8333,33*4000/[1000*8333.33+1000*4000+8333.33*4000]=
=729.92Ом
13. Определяю ток входа максимальный:
Iвхмакс =Iкм/вмин=33,06мА/50=0,6612мА
14. Определяю коэффициент усиления:
Uвхм =Uбэм =Iвхмакс*Rвхоэ=0,6612мА*40Ом=0,026В
К=Uвхмсл/Uбэм=0,8В /0,026В=30,76раз»31раз.
15. Определяю ёмкость конденсатора Сс:
Rвых+Rвхсл=Rк+[RвхТрсл*Rделсл/(RвхТрсл+Rделсл)]=1000+[4000*8333,33/(4000+8333,33)]=1000+2702=3702Ом
Принимаю Сс=130пФ по ряду Е24
16. Определяю сопротивления Rдел и Rист:
Принимаю Rк’=3900Ом
Rдел =R1*R2/(R1+R2)=270*51000/(270+51000)=268Ом
Принимаю Rдел =270Ом по ряду Е24 типа МЛТ-0,125
Rист=R’к*Rдел/(R’к+Rдел)=3900*270/(3900+270)=252,5Ом
17. Определяю величину ёмкости конденсатора Сэ шунтирующего Rэ:
Sэс = (1+вмакс)/(Rист. + Rвхоэ)=(1+350)/(252,5+40)=1,2
Принимаю Сэ=0,56мкФ по ряду Е24
18. Определяю ёмкость Со и частотные искажения Мв:
Со=Сэдсл<(0,16/fгрмин*Rвхобсл)+Сксл*(1+Ксл)=(0,16/300000*50000)+
+0,00000001*(1+20)»0,00000021Ф»210пФ
1.3.3 Распределение между трактами приёмника частотных и нелинейных искажений:
Частотные искажения создаются всеми каскадами приёмника. В каскадах с резонансными контурами (входная цепь, УПЧ) они могут возникать, когда резонансная характеристика контуров недостаточно широкая, за счёт чего крайние частоты спектра принимаемого сигнала будут пропускаться хуже, чем средние. Общую величину частотных искажений ВЧ части приёмника определяют из выражения:
Мобщ,дб=Мпрес +МУПЧ +МУННЧ+МУНЧ
Для ДВ:
Мобщ,дб=3дб+6дб+1,5дб+1,5дб=12дб
Для СВ:
Мобщ,дб=2дб+6дб+1,5дб+1,5дб=11дб
Проверяю выполнение условия Мобщ,дб£М:
Для ДВ:
12£12,
Для СВ:
11£12
Условие выполняется для ДВ и для СВ, следовательно, частотные искажения приёмника не выходят за границы заданных частотных искажений.
Причиной нелинейных искажений является нелинейность характеристик усилительных приборов и диодов. Наибольшие нелинейные искажения создаются на детекторе и УНЧ. Общую величину нелинейных искажений определяют из выражения:
Кг.общ=Кг.d+Kг.УНЧ, ориентировочная величина искажений, создаваемых детектором составляет 1-2%, а нелинейные искажения УНЧ 3-5%.
Кг.общ=2%+5%=7%
Проверяю выполнение условия Кг.общ£Кг , где Кг- заданные нелинейные искажения по ТУ
|