Студентам > Курсовые > Конструирование микросхем и микропроцессоров
Конструирование микросхем и микропроцессоровСтраница: 1/6
Задание на курсовое проектирование
В данном курсовом
проекте требуется разработать комплект конструкторской документации
интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению
разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты.
Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом
свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).
Рис.
1. Схема электрическая принципиальная
Таблица 1. Номиналы
элементов схемы:
|
Элемент
|
Номинал
|
Элемент
|
Номинал
|
Элемент
|
Номинал
|
Элемент
|
Номинал
|
|
R1
|
950 Ом
|
R7
|
4,25 кОм
|
R13
|
1 кОм
|
R19
|
1 кОм
|
|
R2
|
14 кОм
|
R8
|
12,5 кОм
|
R14
|
3,5 кОм
|
C1
|
3800 пФ
|
|
R3
|
45 кОм
|
R9
|
500 Ом
|
R15
|
10 кОм
|
VT1-VT8
|
КТ 312
|
|
R4
|
35 кОм
|
R10
|
3 кОм
|
R16
|
3,5 кОм
|
E
|
7,25 В
|
|
R5
|
12,5 кОм
|
R11
|
10 кОм
|
R17
|
2,5 кОм
|
|
|
|
R6
|
950 Ом
|
R12
|
500 Ом
|
R18
|
1 кОм
|
|
|
Для подачи на схему
входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое
количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на
следующем рисунке.
Рис.
2. Возможная схема включения
Таблица 2. Номиналы
элементов схемы включения
|
Элемент
|
Номинал
|
Элемент
|
Номинал
|
|
RA
|
8,2 кОм
|
CB
|
1 мкФ
|
|
RB
|
43 Ом
|
CC
|
0,033 мкФ
|
|
RC
|
2,2 кОм
|
CD
|
0,015 мкФ
|
|
RD
|
1,5 кОм
|
CE
|
4700 пФ
|
|
CA
|
3300 пФ
|
CF
|
3300 пФ
|
|
Главная
Документация
Файлы
Информация
