Студентам > Курсовые > Расчет многокаскадного усилителя
Расчет многокаскадного усилителяСтраница: 1/2
ЭТАП №1
Исходные
данные для расчета .
Еп=10 В; Rи=150
Ом; Rк=470 Ом; Rн=510; Сн=15 пФ ;Tмин=-30град;
Тmax=50град;
Требуемая нижняя частота :
Fн=50
кГц.
Используемый тип транзистора:
КТ325В (Si ; N-P-N ;
ОЭ)
Нестабильность коллекторного
тока -
Параметры
транзистора:
Граничная частота - Fгр
= 800Мгц.
Uкбо(проб)=15В.
Uэбо(проб)=4В.
Iк(мах)=60мА.
Обратный ток коллектора при
Uкб=15В
: Iкбо<0.5мкА (при Т=298К).
Статический коэффициент
усиления тока базы в схеме с ОЭ: h21=70…210.
Емкость коллекторного
перехода: Ск<2.5пФ.(при Uкб=5В)
rкэ(нас.)=40 Ом.
Постоянная времени цепи
обратной связи: tк<125 нс.
Для планарного транзистора -
технологический параметр = 6.3
Предварительный
расчет.
Исходя из значений Еп и
Rк
, ориентировачно выберем рабочую точку с параметрами Uкэ=4В и
Iкэ=1мА.
Типичное значение , для
кремниевых транзисторов: Uбэ=0.65В.
Uкб=Uкэ-Uбэ = 3.35В
=2.857 пФ.
=275Ом - Объемное сопротивление
базы.
Iб =
Iкэ/h21 = 8.264e-6 - ток базы.
Iэ
= Iкэ - Iб = 9.9e-4 - ток эмиттера.
rэ = 26е-3/Iэ = 26.217 - дифференциальное
сопротивление эмиттерного перехода.
Параметр n = rэ/rб
+ 1/h21 = 0.103 (Нормированное относительно
Fгр
значение граничной частоты)
Для дальнейших расчетов по
заданным искажениям в области нижних частот зададимся коэффициэнтами
частотных искажений .
Пускай доля частотных
искажений , вносимых на нижней частоте разделительным конденсатором Ср ,
окажеться в к=100 раз меньше чем конденсатором Сэ , тогда коэффициенты
частотных искажений
равны: Мнр = 0.99 , а Мнэ =
0.71( Определяются по графику)
= 2.281е-8 Ф;- емкость
разделительного конденсатора.
Оптимальное напряжение на
эмиттере выбирается из условия :Uэ = Еп/3, это позволяет
определить величину Rэ.
Rэ = =3.361е3 Ом;
=3.361В - Напряжение на
эмиттере.
Rф=(Еп -
Uкэ)/Iкэ - Rк
- Rэ = 2.169е3 Ом;- сопротивление RC
- фильтра в коллекторной цепи.
Применение Н.Ч. - коррекции
позволяет использовать разделительный конденсатор меньшей емкости.
= 4.062е-9 Ф;- скорректированное
значение разделительного конденсатора.
= 9.551е-10 Ф; - емкость
фильтра в цепи коллектора.
= 7.889е-8 Ф;- Емкость
эмиттера.
Расчет цепи делителя ,
обеспечивающей заданную температурную нестабильность коллекторного тока.
= 1.487е-6 А; - неуправляемый
ток перехода коллектор-база.
=0.2 В; -сдвиг входных
характеристик .
=3.813е-5 А. -ток делителя.
= 1.052e5 Ом
=1.291e5Ом
Номиналы
элементов, приведенные к стандартному ряду.
Rф=2.2е3 Ом;
Rэ=3.3е3Ом; Rб1=1е5Ом
; Rб2=1.3е5 Ом; Cр= 4е-9 Ф;
Cф=
1е-9 Ф; Cэ=7е-8Ф;
Оценка
результатов в программе «MICROCAB»
1. Оценка по постоянному току.
2.1А.Ч.Х. - каскада.
2.2 А.Ч.Х. - по уровню 07.
Реализуемые
схемой - верхняя частота - Fв =
2.3Мгц и коэффициент усиления К = 22Дб = 12.6
ЭТАП №2
Задание:
Обеспечить за счет выбора элементов либо модернизации схемы
увеличение
К в два раза(при этом Fв -
не должно уменьшаться) и проверить правильность расчетов на Э.В.М.
РАСЧЕТ.
Требования к полосе частот и
коэффициенту усиления:
К = 44Дб = 158 Fн
=50 Кгц Fв =2.3Мгц
Uкб=Uкэ-Uбэ = 4.35В
=2.619 пФ.
=300Ом - Объемное сопротивление
базы.
Оценка площади усиления и
количества каскадов
в усилителе.
=8.954 е7 Гц - Максимальная площадь усиления
дифференциального каскада.
Ориентировачное количество
каскадов определим по номограммам ,
так как =39 , то усилитель можно
построить на двух некорректированных каскадах.
Требуемая верхняя граничная
частота для случая , когда N = 2 ( с учетом , что фn =
=0.64)
Fв(треб)=Fв/фn = 3.574е6 Гц
Требуемый коэффициент
усиления одного каскада К(треб)== 12.57
Требуемая нижняя граничная
частота Fн(треб)=FнХфn =3.218e4
Реализуемая в этом случае
площадь усиления =4.5е7
Гц
Расчет первого (оконечного) каскада.
Определим параметр = 1.989
Оптимальное значение
параметра =0.055
Этому значению параметра соответствует ток
эмиттера равный:
Iэ = =2мА
Соответственно Iкэ
= =
2мА и Iб = = 1.5е-5 А .
rэ = = 14.341 Ом - дифференциальное
сопротивление эмиттерного перехода.
= 1.388е-11Ф; - емкость
эмиттерного перехода.
= 1.75е3 Ом
= 3.562е-9 сек - постоянная
времени транзистора.
= 0.008 - относительная
частота.
Высокочастотные Y- параметры оконечного каскада.
= 0.061 См- Проводимость прямой передачи ( крутизна
транзистора).
= 3е-14 Ф- Входная емкость
транзистора .
= 5.02 е-11 Ф -Выходная емкость
транзистора.
= 5.456 е-6 См -
Проводимость обратной передачи.
= 5.027 е-4 См - Входная
проводимость транзистора.
= 4.5е-11 Ф - Входная емкость
транзистора.
Реализуемая
в этом случае площадь усиления :
= 1.165е8 Гц
Заданный
коэффициент усиления обеспечивается при сопротивлении коллектора:
= 347.43 Ом
Расчет элементов по заданным
искажениям в области нижних частот.
= 3.294е-8 Ф;- емкость
разделительного конденсатора.
Rэ = =1.68е3 Ом;
=3.077В - Напряжение на
эмиттере.
Rф=(Еп -
Uкэ)/Iкэ - Rк
- Rэ = 704.5 Ом;- сопротивление RC
- фильтра в коллекторной цепи.
Применение Н.Ч. - коррекции
позволяет использовать разделительный конденсатор меньшей емкости.
= 1.088е-8 Ф;- скорректированное
значение разделительного конденсатора.
= 7.87е--9 Ф; - емкость фильтра
в цепи коллектора.
= 2.181е-7 Ф;- Емкость
эмиттера.
Расчет цепи делителя ,
обеспечивающей заданную температурную нестабильность коллекторного тока.
=4.351е-5 А. -ток делителя.
= 8.566е4 Ом
=1.07е5 Ом
Расчет второго (предоконечного)
каскада.
Реализуемая площадь усиления
и параметр для
предоконечного каскада.
=9е7
Гц =0.04
|