_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Рефераты > Микродисплеи

Микродисплеи

Страница: 3/9

Обычно приемлемым считается движение глаза в пределах 24° по вертикали и горизонтали, т.е. 34° по диагонали. На рис. 4 как раз представлена архитектура такого виртуального МД-устройства, которая и определит его минимально возможные геометрические размеры.

При необходимости подсветки микродисплеев от внешнего источника чаще всего используют оптическую схему, изображенную на рис. 5.

В качестве альтернативного варианта, позволяющего обеспечить "глубину" устройства менее фокусного расстояния увеличительной оптической системы, возможно использование безаберационных конфокальных зеркал с расширенным полем зрения (рис. 6).

Подводя итог вышесказанному, можно сделать вывод, что расчет и изготовление оптической части виртуального МД-устройства является непростой задачей, поскольку должен быть найден компромисс между разрешением и размером МД, геометрическими размерами устройства, параметрами оптической системы с учетом особенностей восприяти я изображений человеческим глазом и др.

2 Микродисплеи просветного типа

Микродисплеи просветного типа строятся на базе ЖК-микродисплеев с активной матрицей тонкопленочных транзисторов из аморфного или поликристаллического кремния, а также МОП-транзисторов, изготовленных по технологии "монокремний-на-стекле" (табл. 4).

Таблица 4. Производители разнообразных типов МД просветного типа

Фирма-изготовитель

Тип активной матрицы МД

Sharp (Japan)

a-Si:H

Fujitsu (Japan)

a-Si:H

Philips (Netherland)

TFD

Epson (Japan)

HTPS

Hitachi (Japan)

HTPS

Matsushita (Japan)

HTPS

Samsung (Korea)

HTPS

Sarif (USA)

HTPS

Sharp (Japan)

HTPS (CGS)

Sony (Japan)

HTPS

Kopin (USA)

Si-on-G

Canon (Japan)

Si-on-G

Sanyo (Japan)

LTPS

Здесь HTPS - High Temperature Poly Silicon;

LTPS - Low Temperature Poly Silicon;

Si-on-G - Silicon on Glass;

TFD - Thin Film Diode.

Все эти дисплеи находятся в производстве и широко применяются в проекционных устройствах.

Основной проблемой при использовании просветных МД является низкая эффективность использования исходного светового потока. Большие потери света обусловлены, в основном, двумя причинами:

· низкой числовой апертурой ЖК МД, определяемой отношением рабочей (пропускающей) площади элемента отображения к его общей площади;

· использованием электрооптических эффектов, требующих применения поляроидов и матричных цветных фильтров (теоретически ЖК-ячейка с идеальным цветным фильтром пропускает только одну шестую часть падающего света - поляроиды поглощают половину, а цветные фильтры - две трети оставшегося).

Решение первой проблемы достигается за счет использования ЖК МД с активной матрицей поликремниевых транзисторов вместо транзисторов на аморфном кремнии, характеризуемых значительно меньшими геометрическими размерами, высокими быстродействием и электрическими параметрами, хорошо отработанной технологией, схожей с стандартной КМОП-технологией. Наиболее совершенные ЖК МД такого класса с интегрированными драйверами имеют следующие параметры: число элементов отображения - 1440 x 1024, размер элемента отображения - 28 x 22 мкм, числовая апертура - 47,5%, диагональ - 4,6 см (1,8 дюйма).

Если совсем недавно наибольшей популярностью пользовались МД с диагональю 1,3 дюйма, соответствующие 35-мм слайду и позволяющие использовать оптическую систему обычных слайд-проекторов, то в настоящее время наблюдается тенденция уменьшения их размеров до 0,9 и даже 0,7 дюймов, что выгоднее прежде всего с точки зрения выхода годных и стоимостных параметров МД.

Более перспективным считается техпроцесс получения микродисплеев, разработанный недавно фирмой Sharp и использующий поликремний типа Continuous Grain Silicon с очень высокой подвижностью носителей, близкой к монокристаллическому состоянию. На основе этого материала была разработана активная матрица тонкопленочных транзисторов для МД с разрешением 1280 x 1024, размером пикселей 45 x 32 мкм при числовой апертуре 63%. Хроническим недостатком высокотемпературных HTPS-технологий считается необходимость использования дорогих кварцевых подложек.

В технологии "Silicon-on-Glass", разработанной специалистами фирмы Kopin Corp.(США), сначала методом ISE (Isolated Silicon Epitaxy) на кремниевой подложке наращивают толстый слой монокремния, в котором стандартными технологическими приемами формируется высокоплотная матрица МОП-транзисторов вместе со строчными и столбцовыми ИС драйверами. Затем этот слой отделяют от кремниевой подложки и переносят на стеклянную подложку (рис. 7). На последней стадии осуществляют сборку ЖК МД. Несмотря на то, что ISE-процесс достаточно сложен и дорог, выигрыш в повышении числовой апертуры для матриц высокого разрешения несомненен. Последняя разработка фирмы Kopin - миниатюрный АМ-модуль с диагональю 1,5 дюйма, содержащий 2560 x 2048 ЭО с интегрированными драйверами столбцов и строк для нашлемных проекционных устройств. Уровень производства МД по данной технологии на конец 2000 г. составлял около 20 000 в месяц.

Особый интерес вызывает низкотемпературная LTPS-технология, развиваемая фирмой Sanyo и позволяющая перейти от кварцевых к более дешевым стеклянным подложкам. Первый МД на основе такой технологии с диагональю 0,5 дюйма имел разрешение 521 x 218 ЭО.