Передающий модуль бортового ретранслятора станции активных помех

Рисунок 23 Катушки: одновитковая 0.5-4 нГн, спиральная квадратной формы до 100 нГн.

Воспользовавшись данными из Таблица 4 и Рисунок 23 при , и , рассчитаем значения параметров индуктивностей СВЧ-тракта:

Таблица 5

Толстопленочные емкости

Толстопленочные емкости разумно выполнить в виде трехслойной пленочной структуры металл-диэлектрик-металл, изображенной на Рисунок 24. Такие конденсаторы могут обладать емкостью до нескольких сотен пФ.

Рисунок 24 Конфигурация конденсатора в пленочном исполнении

Расчет данных элементов начинается с выбора диэлектрика и определения его минимальной толщины (из соображений электрической прочности) по формуле:

,

где – рабочее напряжение между обкладками конденсатора, [В]; - пробивная напряженность электрического поля, [В/мм]; N – коэффициент запаса (0.5 ¸ 0.7).

Рабочее напряжение между обкладками конденсатора будем считать, что не превышает . В качестве диэлектрика возьмем SiO, обладающего следующими параметрами [4]: , . Коэффициент запаса возьмем равным . Тогда толщина диэлектрической пленки, [мм]:

выбранная нами технология не позволяет делать такие толщины, поэтому толщину диэлектрика и металлической обкладки возьмем равным .

Требуемую площадь перекрытия обкладок конденсатора можно рассчитать по выражению:

и ,

где a – стороны обкладки конденсатора [мм], C – [пФ], S – [мм2]. Результаты расчетов, приведены Таблица 6.

Таблица 6

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12