Студентам > Курсовые > Передающий модуль бортового ретранслятора станции активных помех
Передающий модуль бортового ретранслятора станции активных помехСтраница: 3/12
Основные преимущества синтезатора косвенного некогерентного синтеза:
- высокая стабильность ;
- лучшие габаритно-массовые характеристики по сравнению с синтезатором частот прямого когерентного синтеза.
Рисунок 9
Схема запоминания частоты (СЗЧ) запоминает несущую частоту полезного сигнала подавляемой РЭС на заданное время. Различают устройства-схемы кратковременного и длительного запоминания частоты. Принцип действия этих устройств основан на рециркуляции или регенерации колебаний, распространяющихся в электромагнитной системе СВЧ какого-либо типа. Например, известны устройства СЗЧ на ЛОВ ЖИГ-фильтрах и др. Простейшей СЗЧ является схема АПЧ генератора. В простейших САП схема запоминания частоты отсутствует, и запоминание несущей частоты и настройка ПП на неё осуществляется оператором. К СЗЧ предъявляются следующие требования: время запоминания, точность фиксирования и удержания частоты, диапазон запоминания, разрешающая способность (одновременного запоминания частоты).
Передатчик помех (ПП) состоит из источника колебаний несущей частоты (усилителя мощности) и источника низкочастотных модулирующих колебаний (модулятора). Электрический расчет ПП
Составим структурную схему усилителя мощности (УМ).
Рисунок 10 Структурная схема ВЧ тракта
При расчете электронного режима транзисторов воспользуемся методикой предназначенной для расчета режима мощного транзистора СВЧ [3]. Рассмотренная методика может быть использована для расчета режима мощного транзистора усилителя, работающего на частотах порядка сотен мегагерц, и позволяет получить параметры режима, достаточно близкие к экспериментальным. На значениях частот 1…3 ГГц погрешность расчета возрастает из-за использования упрощенной эквивалентной схемы транзистора и недостаточной точности при определении её параметров. Выберем схему подключения транзистора с ОБ, т.к. при таком включение значительно возрастает верхняя рабочая частота до и др. Эквивалентная схема усилителя ОБ для тока и напряжения первой гармоники представлена как Рисунок 11.
Рисунок 11 Эквивалентная схема усилителя
Расчет выходного усилителя мощности
Выбор типа транзистора
Выбор транзистора осуществляется с учетом типа модуляции, диапазона рабочих частот, полосы пропускания, требований к управлению (способа перестройки), характера и параметров нагрузки, а также возможностей обеспечения заданного уровня выходной мощности.
Так же при выборе транзистора необходимо руководствоваться следующими соображениями. Коэффициент усиления обратно пропорционален квадрату частоты. Поэтому, если известно из справочных данных, что транзистор на частоте имеет коэффициент усиления , то на некоторой, более низкой рабочей частоте , его коэффициент усиления можно оценить примерно, как . Схема включения транзистора определяется, как правило, его конструкцией, в которой с корпусом соединяется один из электродов (эмиттер, база). Рекомендуется использовать СВЧ-транзистор на мощность не менее , указанной в справочнике. Сильное недоиспользование транзистора приводит к снижению его усилительных свойств. Предлагаемая в [3] методика расчета исходит не из , а из мощности , развиваемой эквивалентным генератором тока . Мощность в схеме ОБ следует взять больше, чем требуемая , так как значительная часть мощности, развиваемая генератором тока поступает во входную цепь усилителя. На в схеме ОБ берется на больше , на эта доля меньше.
Как мы уже выяснили ранее, необходимая выходная мощность по первой гармоники должна быть , диапазон рабочих частот , тип модуляции – импульсная. С учетом потерь в согласующей СВЧ-цепи (возьмем их равными , дальнейший расчет покажет более точное значение), необходимая мощность, на выходе транзистора, по первой гармоники определяется, как . Тогда выходная мощность равна . Всем этим требованиям в полной мере удовлетворяет транзистор 2Т919А [9].
Таблица 1 Параметры транзистора 2Т919А (ВУМ)
|
Предельные эксплуатационные |
Типовой режим |
Uкэдоп |
Uбэдоп |
Iкmaxдоп |
Iк0доп |
Iкр |
Rпк |
Tпдоп |
Tк |
Pкдоп |
fн…fв |
f‘ |
P’вых |
K’p |
η’э |
U’к0 |
В |
А |
ºС/Вт |
ºС |
Вт |
МГц |
МГц |
Вт |
|
% |
В |
Б |
45 |
3.5 |
1.5 |
0.7 |
1.5 |
12 |
150 |
85 |
10 |
700…2400 |
2000 |
4.4 |
4.4 |
33 |
28 |
Электрические параметры и параметры эквивалентной схемы |
h21э |
U’ |
Sгр |
fгр |
Cк |
Cка |
Cэ |
Cкп |
rб |
rэ |
rк |
Lб |
Lэ |
Lк |
|
В |
См |
ГГц |
пФ |
Ом |
нГ |
15 |
0.7 |
0.13 |
1.8 |
7.5 |
2.5 |
100 |
5 |
0.5 |
0.14 |
0.7 |
0.14 |
0.7 |
0.7 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|