Студентам > Дипломные работы > Разработка микроблока питания
Разработка микроблока питанияСтраница: 1/12
ВВЕДЕНИЕ
Для выхода нашей станы из экономического кризиса
необходимо
повышение темпов и эффективности развития экономики на
базе уско-
рения научно-технического прогресса, техническое
перевооружение и
реконструкция производства , интенсивное использование
созданного
производственного потенциала, совершенствование системы
управле-
ния, хозяйственного механизма и достижение на этой
основе даль-
нейшего подъема благосостояния народа. Исходя из этого
необходимо
на основе проведения единой технической политики во всех
отраслях
народного хозяйства ускорить техническое перевооружение
произ-
водства, широко внедрять прогрессивную технику и
технологию,
обеспечивающие повышение производительности труда и
качество про-
дукции. Необходимо обеспечить создание и выпуск новых
видов при-
боров и радиоэлектронной аппаратуры, основанных на
широком приме-
нении микроэлектроники.
В настоящее время этап развития микроэлектроники и
аппара-
тостроения на ее основе можно назвать этапом
интегральных схем
(ИС).
Интегральные схемы, являясь основной элементной
базой микро-
электроники, позволяют реализовать подавляющее
большинство функ-
ций радиоаппаратуры.
Микрокомпоненты, применяемые совместно с ИС,
должны быть
совместимыми с ними по конструкции, технологии и уровню
надежнос-
ти. В некоторых случаях оправдано применение гибридных
интеграль-
ных схем (ГИС). Это объясняется следующими
обстоятельствами:
Технология ГИС проста и требует меньших, чем
полупроводнико-
вая технология затрат на оборудование и помещения.
Технологию ГИС можно рассматривать как
перспективную по
сравнению с существующей технологией многослойного
печатного
монтажа.
Пассивную часть ГИС изготавливают на отдельной
подложке, что
позволяет достигать высокого качества пассивных элементов
при не-
обходимости создавать прецизионные ГИС.
Основной проблемой при создании микроэлектронной
аппаратуры
(МЭА) является выбор конструкции, а также:
- обеспечение теплового режима;
- обеспечение надежности;
- обеспечение компоновки и соединений;
- снижение стоимости МЭА.
При проектировании конкретного образца МЭА должны
учитывать-
ся:
- назначение и область применения МЭА;
- заданные электрические характеристики;
- условия эксплуатации, определяющие степень
воздействия
внешней среды;
- требования к конструкции (надежность,
ремонтопригодность,
масса, габариты, тепловые режимы);
- технико-экономические характеристики (стоимость,
техноло-
гичность изготовления).
Основным средством миниатюризации устройств
является их ин-
тегральное исполнение. В силовых устройствах интеграция
- это в
первую очередь объединение бескорпусных силовых
полупроводниковых
приборов в общем корпусе. Примером такого силового
устройства яв-
ляется разрабатываемый силовой микромодуль вторичного
источника
питания.
Наряду с ГИС применяются малогабаритные сборки,
состоящие из
силовых транзисторов и диодов.
В основу проектирования силового микромодуля
заложены сов-
ременные тенденции конструирования ВИП на базе
микроэлектронной
технологии их изготовления.
.
АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ
Анализируя задание на дипломное проектирование,
видно, что
модуль используется как составная часть изделия. Наличие
при экс-
плуатации изделия влажности до 93% требует предусмотреть
защиту
радиоэлементов и печатных плат путем герметизации модуля,
а также
пропиткой и заливкой. Так в частности трансформатор
преобразова-
теля заливается . Герметизация модуля обеспечивается с
помощью
резиновой прокладки по периметру между крышкой и
корпусом. Наибо-
лее сложным вопросом является обеспечение нормального
теплового
режима при эксплуатации в диапазоне температур -
40-60 5o 0С.
Основное влияние температуры будет сказываться на
радиоэле-
менты и особенно верхний предел температуры
+60 5o 0 С. С этой целью
выбор элементной базы произведен исключительно по
техническим ус-
ловиям и ГОСТам, что исключает ошибки в выборе
элементной базы.
Все выбранные радиоэлементы обеспечивают предельные
температуры
эксплуатации. Такой режим достигается благодаря
особенности конс-
трукции. Особенность заключается в том, что большинство
теплонаг-
руженных элементов имеют хороший тепловой контакт на
корпус моду-
ля. Так, например, трансформатор преобразователя
находится в
гнезде корпуса. Корпус выполнен из материала Д16,
обладающим хо-
рошей теплопроводностью, а для большего уменьшения
теплового соп-
ротивления, там где это необходимо, применяется
теплопроводящая
паста КНТ-8. Все это позволяет спроектировать модуль в
заданных
габаритах.
Механические нагрузки на модуль довольно
значительные, т.к.
он эксплуатируется в изделии устанавливаемом на подвижных
объек-
тах Однако, вся конструкция модуля и его элементов
отвечают тре-
бованиям вибро- и ударной устойчивости, заданной в ТЗ.
Исходя из вышеизложенного, можно утверждать,
что модуль
обеспечит заданную надежность P(t)=0,9 при t=5000.
Проведенный в
дальнейшем расчет надежности должен показать
правильность выб-
ранной элементной базы и самой конструкции модуля. При
меньшем
расчетном значении надежности потребуется пересмотр
элементной
базы вариантов и способов охлаждения и возможно всей
конструкции
модуля.
Так, применение бескорпусных транзисторов
2Т3642Б-2,
2Т376Б1-2, 2Т397А-2 и др., а также пленочных
резисторов R1-12,
особое значение приобретает полная и тщательная
герметизация
всего корпуса.
НАЗНАЧЕНИЕ И ПРИНЦИП РАБОТЫ
Проблема создания экономичных, надежных,
малогабаритных ис-
точников электрической энергии для питания современных
радоэлект-
ронных устройств становится все более актуальной.
Этой проблемой заняты специалисты всех стран мира
Большое внимание уделяется и повышению КПД вторичных
источни-
ков питания, т.к. количество их возрастает вместе с теми
устройс-
твами, где они используются. Одновременно растут
требования и к
стабильности питающей напряжения РЭА.
Поэтому правильный выбор схемы блока питания играет
большую
роль в получении высокого КПД.
С этой целью была выбрана схема микромодуля питания
с широ-
ко-импульсной модуляцией.
Блок питания обеспечивает стабилизацию выходного
напряжения
с одновременной фильтрацией низкочастотных составляющих
входного
напряжения.
Входное напряжение может изменяться от 20 до 30 В,
а выход-
ное напряжение при всех дестабилизирующих факторах
(изменение
входного напряжения, температуры окружающей среды, тока
нагрузки)
изменяется в пределах 25 7+ 01,25 В.
В основу регулирования заложен стабилизированный
преобразо-
ватель с широтно-импульсной модуляцией. Микромодуль
включает в
себя входной фильтр, схему управления, промежуточный
каскад,
трансформаторный преобразователь, выпрямитель, выходной
сглажива-
ющий фильтр. Входной фильтр состоит из конденсаторов
С 418 0...С 424,
дросселя Др1 и обеспечивает подавление пульсаций рабочей
частоты
преобразователя, а также обеспечивает непрохождение ВЧ
пульсаций
бортсети в выходную цепь.
Микромодуль состоит из двух силовых токовых ключей
на тран-
зисторах
Т 413 0,Т 414 0,Т 417 0...Т 426 0 и
транзисторов Т 415 0,Т 416 0,Т 427 0...Т 436,
трансформатора Тр2. Резисторы
R 446 0,R 447 0,R 448 0,R 449 0
обеспечивают необ-
ходимый режим токовых ключей.
Микромодуль осуществляет необходимую трансформацию
напряжения
и при необходимости может произвести гальваническую
развязку вы-
ходного напряжения.
Выпрямление переменного прямоугольного напряжения
осущест-
вляется диодами VD 412 0...VD 419 0,
включенных по схеме со средней точ-
кой вторичной обмотки трансформатора. Диоды
VD 420 0,VD 421 0и конденса-
тор С 441 0 позволяют получить требуемую форму
выходного выпрямлен-
ного напряжения в момент переключения диодов выпрямителя.
Сглаживающий выходной фильтр состоит из двух
последовательно
включенных Г-образных LC-фильтров. Первый фильтр состоит
из нако-
пительного дросселя 4 0Др 43 0 и
конденсаторов С 442 0...С 451 0, второй - из
дросселя Др 44 0и конденсаторов
С 452 0...С 457 0. Первый фильтр производит
преобразование широтно-модулированных импульсов в
постоянное нап-
ряжение. Второй фильтр является фильтром подавления
радиопомех и
обеспечивает получение заданных пульсаций выходного
напряжения.
Схема управления выполнена по гибридно-пленочной
технологии
и включает в себя задающий генератор (ЗГ) на
инверторах У 41.1 0,
У 41.2 0, 4 0У 41.3 0 и
элементах R 49 0, 4 0R 410 0, 4
0C 46 0; генератор коротких 4 0импульсов
на У 42.1 0, 4
0У 41.4 0, 4 0У 42.2 0; генератор пилы на
элементах VT 46 0, R 416 0, C 412 0;
ШИМ-модулятор на усилителе постоянного тока (УПТ)
У 416 0; раздели-
тель каналов на триггере У 43.1 0; два (по
числу каналов) выходных
каскада 4 0на У 42.3 0,
VT 47 0, VT 48 0, R 417 0, 4
0R 418 0, 4 0R 419 0, 4
0R 424 0, 4 0R 422 0, 4 0C 48 0, 4
0C 49 0- пер-
вый канал; У 42.4 0, 4
0T 49 0, 4 0T 410 0, 4
0R 420 0, 4 0R 425 0, 4
0R 421 0, R 423 0, 4
0R 427 0, 4 0C 410 0, 4
0C 411 0 -
второй канал; узел защиты от короткого замыкания в
нагрузке
(У 43.2 0, У 47.1 0, 4
0У 47.2 0, 4 0У 48.1 0, 4
0У 48.2 0, 4 0R 428 0, 4
0R 429 0, 4 0R 430 0, 4
0R 432 0, 4 0R 433 0, 4
0R 436 0, 4 0R 437 0,
VD 48 0, 4
0VD 49 0, 4 0C 415 0, 4
0C 417 0) и вспомогательные цепи питания схемы управле-
ния.
Первый линейный стабилизатор параметрического типа
осущест-
вляет питание логических элементов
У 41 0, 4 0У 42 0, 4
0У 43 0.
Второй линейный стабилизатор параметрического типа
обеспечи-
вает питанием +12 В и +6 В УПТ (У 46 0).
|