_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Дипломные работы > Разработка микроблока питания

Разработка микроблока питания

Страница: 1/12

                            ВВЕДЕНИЕ

 

     Для выхода нашей станы из экономического кризиса  необходимо

повышение темпов и эффективности развития экономики на базе уско-

рения научно-технического прогресса, техническое перевооружение и

реконструкция производства , интенсивное использование созданного

производственного потенциала,  совершенствование системы управле-

ния, хозяйственного  механизма  и достижение на этой основе даль-

нейшего подъема благосостояния народа. Исходя из этого необходимо

на основе проведения единой технической политики во всех отраслях

народного хозяйства ускорить техническое  перевооружение  произ-

водства, широко  внедрять  прогрессивную  технику  и  технологию,

обеспечивающие повышение производительности труда и качество про-

дукции. Необходимо  обеспечить создание и выпуск новых видов при-

боров и радиоэлектронной аппаратуры, основанных на широком приме-

нении микроэлектроники.

     В настоящее время этап развития микроэлектроники  и  аппара-

тостроения на  ее  основе  можно назвать этапом интегральных схем

(ИС).

     Интегральные схемы, являясь основной элементной базой микро-

электроники, позволяют реализовать подавляющее большинство  функ-

ций радиоаппаратуры.

     Микрокомпоненты, применяемые совместно  с  ИС,  должны  быть

совместимыми с ними по конструкции, технологии и уровню надежнос-

ти. В некоторых случаях оправдано применение гибридных интеграль-

ных схем (ГИС). Это объясняется следующими обстоятельствами:

     Технология ГИС проста и требует меньших, чем полупроводнико-

вая технология затрат на оборудование и помещения.

     Технологию ГИС  можно  рассматривать  как  перспективную  по

сравнению с   существующей  технологией  многослойного  печатного

монтажа.

     Пассивную часть ГИС изготавливают на отдельной подложке, что

позволяет достигать высокого качества пассивных элементов при не-

обходимости создавать прецизионные ГИС.

     Основной проблемой при создании микроэлектронной  аппаратуры

(МЭА) является выбор конструкции, а также:

     - обеспечение теплового режима;

     - обеспечение надежности;

     - обеспечение компоновки и соединений;

     - снижение стоимости МЭА.

 

 

     При проектировании конкретного образца МЭА должны учитывать-

ся:

     - назначение и область применения  МЭА;

     - заданные электрические характеристики;

     - условия  эксплуатации,  определяющие  степень  воздействия

внешней среды;

     - требования  к конструкции (надежность,  ремонтопригодность,

масса, габариты, тепловые режимы);

     - технико-экономические характеристики (стоимость, техноло-

гичность изготовления).

     Основным средством  миниатюризации устройств является их ин-

тегральное исполнение.  В силовых устройствах интеграция - это  в

первую очередь объединение бескорпусных силовых полупроводниковых

приборов в общем корпусе. Примером такого силового устройства яв-

ляется разрабатываемый  силовой  микромодуль вторичного источника

питания.

     Наряду с ГИС применяются малогабаритные сборки, состоящие из

силовых транзисторов и диодов.

     В основу  проектирования силового микромодуля заложены сов-

ременные тенденции конструирования ВИП на  базе  микроэлектронной

технологии их изготовления.

.

                   АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ

 

     Анализируя задание на дипломное проектирование,  видно,  что

модуль используется как составная часть изделия. Наличие при экс-

плуатации изделия влажности до 93%  требует предусмотреть защиту

радиоэлементов и печатных плат путем герметизации модуля, а также

пропиткой и заливкой.  Так в частности трансформатор преобразова-

теля заливается  .  Герметизация  модуля обеспечивается с помощью

резиновой прокладки по периметру между крышкой и корпусом. Наибо-

лее сложным  вопросом  является обеспечение нормального теплового

режима при эксплуатации в диапазоне температур  - 40-60 5o  0С.

     Основное влияние  температуры будет сказываться на радиоэле-

менты и особенно верхний предел температуры +60 5o 0 С. С этой  целью

выбор элементной базы произведен исключительно по техническим ус-

ловиям и ГОСТам,  что исключает ошибки в выборе элементной  базы.

Все выбранные  радиоэлементы  обеспечивают предельные температуры

эксплуатации. Такой режим достигается благодаря особенности конс-

трукции. Особенность заключается в том, что большинство теплонаг-

руженных элементов имеют хороший тепловой контакт на корпус моду-

ля. Так,  например,  трансформатор  преобразователя  находится  в

гнезде корпуса.  Корпус выполнен из материала Д16, обладающим хо-

рошей теплопроводностью, а для большего уменьшения теплового соп-

ротивления, там где это необходимо,  применяется  теплопроводящая

паста КНТ-8.  Все  это позволяет спроектировать модуль в заданных

габаритах.

     Механические нагрузки на модуль довольно значительные,  т.к.

он эксплуатируется в изделии устанавливаемом на подвижных объек-

тах Однако,  вся конструкция модуля и его элементов отвечают тре-

бованиям вибро- и ударной устойчивости, заданной в ТЗ.

     Исходя из  вышеизложенного,  можно  утверждать,  что  модуль

обеспечит заданную надежность P(t)=0,9 при t=5000.  Проведенный в

дальнейшем расчет  надежности  должен показать правильность выб-

ранной элементной базы и самой конструкции  модуля.  При  меньшем

расчетном значении  надежности  потребуется  пересмотр элементной

базы вариантов и способов охлаждения и возможно всей  конструкции

модуля.

     Так, применение   бескорпусных    транзисторов    2Т3642Б-2,

2Т376Б1-2, 2Т397А-2  и  др.,  а также пленочных резисторов R1-12,

особое значение  приобретает  полная  и  тщательная  герметизация

всего корпуса.

 

 

 

                   НАЗНАЧЕНИЕ И ПРИНЦИП РАБОТЫ

 

     Проблема создания экономичных,  надежных, малогабаритных ис-

точников электрической энергии для питания современных радоэлект-

ронных устройств становится все более актуальной.

     Этой проблемой заняты специалисты всех стран мира

     Большое внимание уделяется и повышению КПД вторичных источни-

ков питания, т.к. количество их возрастает вместе с теми устройс-

твами, где  они используются.  Одновременно растут требования и к

стабильности питающей напряжения РЭА.

     Поэтому правильный  выбор схемы блока питания играет большую

роль в получении высокого КПД.

     С этой  целью была выбрана схема микромодуля питания с широ-

ко-импульсной модуляцией.

     Блок питания  обеспечивает стабилизацию выходного напряжения

с одновременной фильтрацией низкочастотных составляющих  входного

напряжения.

     Входное напряжение может изменяться от 20 до 30 В,  а выход-

ное напряжение  при  всех  дестабилизирующих  факторах (изменение

входного напряжения, температуры окружающей среды, тока нагрузки)

изменяется в пределах 25 7+ 01,25 В.

     В основу регулирования заложен стабилизированный  преобразо-

ватель с  широтно-импульсной  модуляцией.  Микромодуль включает в

себя входной  фильтр,  схему  управления,  промежуточный  каскад,

трансформаторный преобразователь, выпрямитель, выходной сглажива-

ющий фильтр.  Входной фильтр состоит из конденсаторов  С 418 0...С 424,

дросселя Др1  и обеспечивает подавление пульсаций рабочей частоты

преобразователя, а также обеспечивает непрохождение ВЧ  пульсаций

бортсети в выходную цепь.

     Микромодуль состоит из двух силовых токовых ключей на  тран-

зисторах Т 413 0,Т 414 0,Т 417 0...Т 426 0   и   транзисторов  Т 415 0,Т 416 0,Т 427 0...Т 436,

трансформатора Тр2.  Резисторы R 446 0,R 447 0,R 448 0,R 449 0 обеспечивают необ-

ходимый режим токовых ключей.

     Микромодуль осуществляет необходимую трансформацию напряжения

и при  необходимости может произвести гальваническую развязку вы-

ходного напряжения.

     Выпрямление переменного  прямоугольного  напряжения осущест-

вляется диодами VD 412 0...VD 419 0,  включенных по схеме со средней точ-

 

кой вторичной обмотки трансформатора. Диоды VD 420 0,VD 421  0и конденса-

тор С 441 0 позволяют получить требуемую форму выходного  выпрямлен-

ного напряжения в момент переключения диодов выпрямителя.

     Сглаживающий выходной фильтр состоит из двух последовательно

включенных Г-образных LC-фильтров. Первый фильтр состоит из нако-

пительного дросселя 4  0Др 43 0 и конденсаторов С 442 0...С 451 0,  второй  -  из

дросселя Др 44  0и конденсаторов С 452 0...С 457 0.  Первый фильтр производит

преобразование широтно-модулированных импульсов в постоянное нап-

ряжение. Второй  фильтр является фильтром подавления радиопомех и

обеспечивает получение заданных пульсаций выходного напряжения.

     Схема управления  выполнена по гибридно-пленочной технологии

и включает в себя задающий генератор  (ЗГ)  на  инверторах  У 41.1 0,

У 41.2 0, 4  0У 41.3 0 и элементах R 49 0, 4   0R 410 0, 4  0C 46 0; генератор коротких 4  0импульсов

на У 42.1 0, 4  0У 41.4 0, 4  0У 42.2 0; генератор пилы на элементах VT 46 0, R 416 0, C 412 0;

ШИМ-модулятор на  усилителе постоянного тока (УПТ) У 416 0;  раздели-

тель каналов на триггере У 43.1 0;  два (по числу  каналов)  выходных

каскада 4  0на У 42.3 0, VT 47 0, VT 48 0, R 417 0, 4  0R 418 0, 4  0R 419 0, 4  0R 424 0, 4  0R 422 0, 4  0C 48 0, 4  0C 49  0- пер-

вый канал;  У 42.4 0, 4   0T 49 0, 4   0T 410 0, 4   0R 420 0, 4  0R 425 0, 4  0R 421 0, R 423 0, 4  0R 427 0, 4  0C 410 0, 4  0C 411 0 -

второй канал;  узел  защиты  от  короткого  замыкания  в нагрузке

(У 43.2 0, У 47.1 0, 4  0У 47.2 0, 4  0У 48.1 0, 4  0У 48.2 0, 4  0R 428 0, 4  0R 429 0, 4  0R 430 0, 4  0R 432 0, 4  0R 433 0, 4  0R 436 0, 4  0R 437 0,

VD 48 0, 4  0VD 49 0, 4  0C 415 0, 4  0C 417 0) и вспомогательные цепи питания схемы управле-

ния.

     Первый линейный  стабилизатор параметрического типа осущест-

вляет питание логических элементов У 41 0, 4  0У 42 0, 4  0У 43 0.

     Второй линейный стабилизатор параметрического типа обеспечи-

вает питанием +12 В и +6 В УПТ (У 46 0).