Исполнительные и логические устройства

0≤U0≤1.2 B

1.5≤U1≤5 В

Практически U0 обычно меньше 0,4 В, а U1 очень близко к 5 В, что обеспечивает хороший шумовой запас по постоянному току.

Если на вход подано напряжение, соответствующее логической 1, то диод VD1 смещен в обратном направлении и, следовательно, потребляет минимальную мощность с выхода предыдущей схемы. Однако если на входе поддерживается напряжение логического 0, то ток i1 должен течь из входной клеммы элемента через насыщенный транзистор на землю. Это соответствует одной единичной нагрузке. Если к одному выходу подсоединено n входов, то насыщенный транзистор должен пропускать ток, в n раз больше чем i1. Если n увеличивается, то будет расти и напряжение Ua, что эквивалентно увеличению напряжения выходного транзистора. Этот эффект приведен в соответствии с рисунком 1б, где передаточная характеристика изображена для случая одной выходной единичной нагрузки и для случая восьми единичных нагрузок (максимально допустимое количество для базового элемента ДТЛ).

Если к схеме, в соответствии с рисунком 1а, добавить второй диод для получения входа Ub, то напряжение Ux будет соответствовать логической 1, если хотя бы один из входов будет в состоянии логического нуля. Логический нуль на выходе можно получить только в том случае, если на обоих входах присутствует напряжение логической единице, т.е. логическая операция выполняемая данной схемой имеет вид:

Х =

Что соответствует операции НЕ-И. Добавлением дополнительных диодов для расширения объема входа число входов в базовом элементе ДТЛ НЕ-И может доведено до 20.

Если выходы двух (и более) ДТЛ элементов НЕ-И соединены вместе, результирующая схема осуществляет операцию И на выходов элементов НЕ-И. Из схемы видно, что если хотя бы на одном из двух выходов присутствует напряжение логического нуля, то общий выход находится в состоянии логического нуля. Если оба выхода элемента НЕ-И в состоянии логической 1, то на выходе – тоже логическая единица. Такое соединение называется проводным И. Выходная нагрузочная способность такой схемы должна быть уменьшена на одну единичную нагрузку для каждого дополнительного выхода проводном соединении, так как следует учитывать возможность шунтирования общего выхода коллекторными сопротивлениями транзисторов, выходные напряжения которых соответствуют логической единицы.

Задержка передачи для типичного элемента ДТЛ составляет 30 нс. Это сравнительно большая величена, во многих случаях оказывается вполне приемлемой.

Семейство диодно-транзисторной логики содержит элементы И, ИЛИ, НЕ-И, НЕ-ИЛИ и ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ. Это семейство удобно для конструктора, так как имеет большой набор различных элементов. Большинство схем содержит несколько незадействованных входных клемм, которые рекомендуется соединять с положительным полюсом источника питания или заземлять. Это увеличивает помехозащищенность и уменьшает время задержки передачи.

Транзисторно-транзисторные логические элементы.

Простейший базовый элемент ТТЛ, в соответствии с рисунком 2а, за счет использования многоэмиттерного транзистора, объединяющего свойства диода и транзисторного усилителя, позволяет увеличить быстродействие, снизить потребляемую мощность и усовершенствовать технологию изготовления микросхемы.

Базовый элемент ТТЛ также выполняет логическую операцию И-НЕ. При низком уровне сигнала (логический 0) хотя бы на одном из выходов многоэмиттерного транзистора VT1 последний находится в состоянии насыщения, а VT2 закрыт. На выходе схемы существует высокий уровень напряжения (логическая единица). При высоком уровне сигнала на всех входах VT1 работает в активном инверсном режиме, а VT2 находится в состоянии насыщения. Описанный здесь базовые элемент ТТЛ, несмотря на прощеную технологию изготовления, не нашел широкого применения из-за низкой помехоустойчивости, малой нагрузочной способностью и малого быстродействия при работе на емкостную нагрузку. Его целесообразно использовать лишь при разработке микросхем с открытым коллектором, в соответствии с рисунком 2б, для включения внешних элементов индикации, когда не требуется высокая помехоустойчивость и большая нагрузочная способность.

Улучшенными параметрами по сравнения с предыдущей схемой обладает базовый элемент ТТЛ, в соответствии с рисунком 3. Однако объединение выходов в схеме не допустимо.

В статических режимах работы схемы, в соответствии с рисунком 3, VT4 повторяет состояние VT2. При запирании VT2 база транзистора VT4 через резистор R3 подключается к “земле”, чем и обеспечивается закрытое состояние VT4.

Если VT2 насыщен, то через базуVT4 протекает ток:

Iб4 = Iэ2 – IR3 = [(Eк - Uкэн2 – Uбэ4)/a2·R2] – (Uбэ4/R3)

Для транзисторов, выполненных по интегральной технологии, обычно принимают Uкэн = 0,2 В, Uбэ = 0,8 В.

Для обеспечения режима насыщения VT4 при закрытых транзисторе VT3 и диоде VD необходимо выполнить условие:

Iб4·В4 ≥ Iкн = n·I0вх нагр

Где: n – число нагрузочных ТТЛ-схем, подключенных к выходу рассматриваемой схемы;

I0вх нагр – входной ток нагрузочной ТТЛ-схемы.

Положив в данное выражение знак равенства, можно определить нагрузочную способность данной схемы, т.е. максимальное число нагрузочных схем, при котором транзистор VT4 еще работает в режиме насыщения:

nmaz = Iб4·В4 / I0вх нагр

Состояние VT3 в статических режимах работы схемы, в соответствии с рисунком 3, всегда противоположно состояниюVT4, а следовательно, VT2. При насыщенном VT4 транзистор VT3 закрыт. Диод VD повышает порог отпирания VT3, обеспечивая его закрытое состояние при насыщенном транзисторе VT4. Действительно:

Uбэ3 = Uкэн2 + Uбэ4 – Uкэн4 – Uд ≈ Uбэ4 - Uд < Uпор3

Так как типичны значения: Uбэ4 = 0,8 В; Uд = 0,7В; Uпор = 0,6В.

Помехоустойчивость ТТЛ-схем по высокому и низкому уровням входного напряжения различны, т.е. U0пом ≠ U1пом.

ТТЛ-схема более чувствительна к помехе U0пом, которая накладывается на сигнал U0вх и вызывает ложное переключение схемы (U0пом < U1пом). Схема, в соответствии с рисунком 3, считается подключенной, если под действием помехи U0пом открываются транзисторы VT2 и VT4, для отпирания которых требуется двойное пороговое напряжение Uпор2 +Uпор4 ≈ 2·Uпор. Тогда условие сохранения первоначального состояния схемы при действии помехи можно записать как:

U0вх + U0пом + Uкэн1 ≤ 2Uпор

Откуда найдем:

U0пом ≤ 2Uпор - U0вх - Uкэн1

Приняв U0вх = 0,2 В; Uпор = 0,6 В; Uкэн = 0,2 В, получим U0пом ≤ 0,6 В

При определении U1пом схема считаются переключенной, если открывается закрытый переход база – эмиттер многоэмиттерного транзистора VT1. В режиме логическое единицы на входе потенциал базы транзистора VT1 относительно “земли” равен сумме напряжений на открытых переходах база-коллектор VT1 и база-эмиттер VT2 и VT4, т.е. Uб1 = Uбк1 + Uбэ2 + Uбэ4 = 2,14 В. Тогда напряжение на закрытом переходе база-эмиттер VT1: Uбэ1 = Uб1 – U1вх. Принимая U1вх = 3,6 В, будем иметь Uбэ1 = -1,2 В.

1	2	3	4	5	6