Студентам > Курсовые > Алмазоподобные полупроводники
Алмазоподобные полупроводникиСтраница: 2/8
В каждой ковалентной связи максимум электронной плотности смещен в сторону атома с более высокой электроотрицательностью,т. е. электронные облака стянуты к узлам решетки, где находятся атомы ВV . Благодаря такой поляризации связей атомы АIII приобретают некоторый эффективный положительный заряд, а атомы ВV –отрицательный. Величина этого эффективного заряда (± g) определяет степень ионности соединения, которая закономерно изменяется при переходе от одного соединения к другому в соответствии с положением химических элементов в Периодической таблице Д. И. Менделеева.
Физико-химические и электрические свойства. Полупроводниковые соединения АIII ВV образуют гомологический ряд, в котором наблюдается закономерное изменение многих свойств при изменении атомных номеров компонентов. Эти закономерности можно проследить с помощью табл.1
| Соединение | Период Решетки ×10, нм | Плот- ность Мг/м2 | Темпе- ратура плавле- ния, 0 С | Твер- дость** |
Аl ×106,
К-1**
| Шири- на запр. зоны.эВ | Подви- жность электро- нов, | Подви- жность дырок, м2/(В×с) | Показа тель прелом- ления при hν = ∆Э | Прони- цае- мость *** | | ВN(куб) АlN GaN InN | 3,615 3,110 (а) 4,975 (с) 3,186 (а) 5,176 (с) 3,540 (а) 5,704 (с) | 3,49 3,28 6,11 6,91 | 3000 2400 1700 1100 | 10 7 - - | - 6,1 5,65 - | 6,0 5,88
3,40
1,95 | - - 0,03 - | - - - | 2,1 2,2 2,4 2,9 | 7,1 9,1 12,2 - | | AlP GaP InP | 5,463 5,451 5,869 | 2,37 4,07 4,78 | 2000 1467 1070 | 5,5 5 - | 4,2 5,9 4,6 | 2,45 2,26 1,35 | 0,008 0,019 0,46 | 0,003 0,012 0,015 | 3,0 3,45 3,45 | 9,8 11,1 12,4 | | AlAs GaAs InAs | 5,661 5,653 6,058 | 3,60 5,32 5,67 | 1770 1237 942 | 5 4,5 4 | 5,2 6,4 5,3 | 2,16 1,43 0,36 | 0,028 0,95 3,3 | - 0,045 0,046 | 3,2 3,65 3,52 | 10,1 13,1 14,6 | | AlAb GaSb InSb | 6,136 6,096 6,479 | 4,28 5,65 5,78 | 1060 710 525 | 4,8 4,5 3,8 | 4,2 6,2 4,9 | 1, 58 0, 72 0,18 | 0, 02 0, 4 7,8 | 0,055 0,14 0,075 | 3,4 3,8 4,0 | 14,4 15,7 17,7 |
* -твердость по минералогической шкале
** -температурный коэффициент линейного расширения
***-низкочастотная диэлектрическая проницаемость
|
Главная
Документация
Файлы
Информация
