Расчет распределения примесей в кремнии

Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля. При построении профиля, как правило, используют полулогарифмический масштаб.

1.4.2 Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С=1223  К, и времени диффузии 30 мин.=1800 с.

Коэффициент диффузии  галлия  в кремнии при  Т=9500 С,  N0=3×1019см-3.

Диффузия проходит согласно выражению (18).Дальнейший ход работы идет аналогично пункту 1.4.1. Заполняем расчетную таблицу.

 Таблица 5 - Результаты расчета распределения галлия в кремнии

Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля. При построении профиля, как правило, используют полулогарифмический масштаб.

1.4.3 Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС=1223 К и времени диффузии 30мин=1800с. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС=1423 К, время 2 часа=7200с.

Произведение D1t1 для процесса загонки равно: D1t1 = 3,31×10-15×1800= 5,958×10-12  см2

Коэффициент диффузии для процесса перераспределения примеси (Do =0,374 см2/с , DE = 3,41 эВ, T = 1423 K)  равен D = 3,128 × 10-13 см2/с. Произведение D2t2 = 3,128×10-13×7200= 2,25×10-9  см2. D2t2 > D1t1   (в 377 раз), т.е. условия быстрой истощаемости источника, следовательно, пользуемся для расчета распределения примеси выражением (27).

В первый столбец таблицы (6) заносим значения x, во второй значения exp(-x2/4D2t2), рассчитанные значения Ns заносим в третий столбец.

Таблица 6 - Результаты расчета распределения галлия в кремнии при диффузии из приповерхностного слоя.

1	2	3	4	5	6