_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Рефераты > Расчет распределения примесей в кремнии

Расчет распределения примесей в кремнии

Страница: 6/6

 

 Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля.

 

Заключение.

 

В данном курсовом проекте  были рассмотрены процесс очистки полупроводникового вещества - зонная плавка  и способ введения примеси в полупроводник - диффузия примеси.

Для процесса зонной плавки произведен расчет для трех очищаемых примесей: фосфор, галлий, сурьма. Результаты расчета представлены в виде таблиц и графиков: распределение удельного сопротивления и распределения каждой примеси  вдоль  слитка кремния  после очистки зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

Эффективность очистки зависит от скорости кристаллизации: чем меньше скорость кристаллизации в донной примеси, тем лучше она очищается, таким образом при Vкр®0 kэфф®k0; Vкр®¥ kэфф®1. Но это не означает, что если мы уменьшим скорость кристаллизации до нуля, то получим исходное вещество  в чистом виде - это лишь одно из условий очистки вещества. Определяющим является также равновесный коэффициент сегрегации (К0) , который отражает эффективность перераспределения между жидкой и твердой  фазой, он должен отличаться от еденицы  в большую или меньшую сторону. В нашем случае  k0 Sb<k0 Ga<k0 P<1, соответственно сурьма лучше   подвергается очистки по сравнению с галлием, а галлий лучше по сравнению с фосфором. Это все подтверждается результатами расчета - распределением концентраций каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой.

Анализ второй части расчета - метод введения и перераспределения примеси - диффузии показывает, что при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и одинаковом времени диффузии профиль распределения примеси в полупроводнике будет различен при нескольких температурах. Таким образом изменяя температурный режим можно изменить профиль распределения примеси в  глубину полупроводника.   

 

 

Литература.

 

1.     Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. -528 с.

2.     Шишлянников Б.М. Физико-химические основы технологии микроэлектроники.  Методические указания к курсовому проектированию для студентов направления 550700. Новгород, 1998. - 41с.

3.     Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1972. - 432 с.

4.     Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1969. - 336 с.

5.     МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических  процессов /Под ред. П. Антонетти и др.; Пер. с англ. - М.:  Радио и связь. 1988. - 496 с.



Copyright © Radioland. Все права защищены.
Дата публикации: 2004-09-01 (0 Прочтено)