_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Дипломные работы > Разработка радиоприемного усройства для информационно-измерительной системы автомобиля

Разработка радиоприемного усройства для информационно-измерительной системы автомобиля

Страница: 15/49

где IБ0 – ток базы, 50 мкА.

IДЕЛ = (10…20) ∙ IБ0 = 10 ∙ 50 ∙10-6 = 500 мА.

Сопротивление делителя напряжения RДЕЛ, кОм, определяется по формуле

RДЕЛ = R1 + R2 =EK / IДЕЛ, (1.43)

где EK – напряжение источника питания, 9В;

IДЕЛ – ток делителя, 0,0005 мА.

RДЕЛ = R1 + R2 =EK / IДЕЛ = 9 / 500 ∙ 10-6 = 18 кОм

Напряжение смещения на базе транзистора ЕБ, В, определяется по формуле

ЕБ = ЕЭ +0,7, (1.44)

где ЕЭ – напряжение эмиттера;

ЕБ = ЕЭ +0.7 = 2 + 0,7 = 2,7 В

Значение сопротивления R1, кОм, определяется по формуле

R1 = ЕБ / IДЕЛ, (1.45)

где EБ – напряжение базы

IДЕЛ – ток делителя, 0,0005мА

R1 = ЕБ / IДЕЛ = 2.7 / 500 ∙ 10-6 = 5.4 кОм

Значение сопротивления R2, кОм, определяется по формуле

R2 = RДЕЛ – R1, (1.46)

где RДЕЛ – сопротивление делителя, 18 кОм;

R1 – сопротивление, 5,4 кОм.

R2 = RДЕЛ – R1 = 18 – 5,4 = 12,6 кОм.

Выбираем стандартные значения сопротивлений R1 и R2:

R1 = 5,6 кОм, ОЛМ-0,125-5,6 кОм +/-5%

R2= 12 кОм. ОЛМ-0,125-12 кОм +/-5%

Расчёт автогенератора по переменному току

Определяем крутизну транзистора

S = , (1.47)

где - высокочастотное сопротивление базы;

- сопротивление эмиттерного перехода;

- коэффициент усиления по току в режиме покоя;

Высокочастотное сопротивление базы , Ом, определяется по формуле

= τК / СК, (1.48)

где τК – постоянная времени цепи обратной связи, 500 ∙ 10-12 с;

СК – ёмкость коллекторного перехода, 7 ∙ 10-12 Ф.

= τК / СК = 500 ∙ 10-12 / 7 ∙ 10-12 = 71,43 Ом.

Сопротивление эмиттерного перехода , Ом, определяется по формуле

= 26 / IК0 , (1.49)

где IК0 – постоянная составляющая коллекторного тока,

= 26 / IК0 = 26 / 5 = 5.2 Ом,

S = 100 / ( 71.43 + 100 ∙ 5.2) = 169 мА/В.

Задается коэффициент регенерации GP = (3…7) = 5 и управляющее сопротивление RУ, Ом, определяется по формуле

RУ = GP / S = 5 / 169 ∙ 10-3 = 29.6 Ом, (1.50)

где GP – коэффициент регенерации, 5;

Задается коэффициент обратной связи автогенератора К’ОС = С3 / С2 = 1 и реактивное сопротивление емкости С3, Ом, определяется по формуле

X3 = == 27.5 Ом, (1.51)

где - управляющее сопротивление, 29,6 Ом;

- сопротивление кварцевого резонатора, 25.5 Ом;

- Коэффициент обратной связи, 1.

Сопротивление кварцевого резонатора, которое находится по формуле

rкв = 1 / ω ∙ Ck ∙ Qk = 1 , (1.52)

где Ck - емкость кварцевого резонатора;

Qk – додротность кварцевого резонатора.

rкв = 1 / ω ∙ Ck ∙ Qk = 1 / 2 ∙ π ∙ 3.125 ∙ 106 ∙ 1 ∙ 10-15 ∙ 2 ∙ 106 = 25.5 Ом.

Емкости конденсаторов С2, С3, нФ, определяются по формуле

С2 = С3 = 1 / ωкв ∙ X3, (1.53)

С2 = С3 = 1 / ωкв ∙ X3 = 1 / 2 ∙ π ∙ 3.125 ∙ 106 ∙ 27.5 = 1.85 нФ.

Стандартное значение: С2 = С3 = 2 нФ.

Емкость блокировочного конденсатора, С1, нФ, определяется по формуле

С1 = (10…20) , (1.54)

где - сопротивление эмиттерного перехода, 5,2 Ом.

С1 = (10…20) = 20 / 2 ∙ π ∙ 3.125 ∙ 106 ∙ 5.2 = 196 нФ.

стандартное значение С1 = 220 нФ.

Индуктивность блокировочного дросселя Lk, мкГн, определяется по формуле

Lk = (20…30) , (1.55)

Lk = (20…30) = 20 ∙ 27.5 / 2 ∙ π ∙ 3.125 ∙ 106 = 28 мкГн.

Определим необходимость применения дросселя LБ из условия

R1 ∙ R2 / (R1 + R2 ) ≥ (20…30) ∙ X2,

если оно не выполняется, то дроссель необходим.

Проверка

5.6 ∙ 103 ∙ 12 ∙ 103 ≥ 25 ∙ 27.5

67200 ≥ 687.5

Условие выполняется, следовательно, дроссель не нужен.

1.4.4 Расчет преобразователя частоты

В диапазоне УКВ широкое применение в радиоприемниках в настоящее время получили транзисторные преобразователи частоты с отдельным гетеродином.

Преимущество подобных ПЧ перед другими заключается в том, что они позволяют получить большой коэффициент передачи, а также высокую стабильность частоты колебаний гетеродина. По способу включения смесительного транзистора различают схемы с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Чаще применяются схемы с ОЭ, т.к. они обладают меньшей входной проводимостью. Причем, для обеспечения меньшей взаимной связи между цепями гетеродина и сигнала целесообразно напряжение сигнала подавать в цепь базы, а напряжение гетеродина - в цепь эмиттера.

Характерной особенностью транзисторных преобразований частоты является то, что нелинейный режим в их работе наступает при сравнительно малых напряжениях входного сигнала (порядка 5-7 мВ). С увеличением амплитуды напряжения гетеродина, поступающего на смесительный транзистор, возрастают постоянные токи базы и коллектора последнего.

На рисунке 1.17 представлена принципиальная схема транзисторного ПЧ с отдельным гетеродином.

Следует отметить, что входная и выходная проводимость транзистора в большей степени зависит от токов базы и коллекторов. Поэтому стремление увеличить коэффициент усиления преобразователя путем увеличения напряжения гетеродина может привести к шунтированию и расстройке входного и выходного контуров ПЧ. Поэтому на практике напряжение гетеродина следует выбирать не более (0,05 - 0,15)В.

На транзисторе VT1 собран смеситель. Колебательный контур L1C1 настроен на частоту сигнала fc, выходной контур L2C5 настроен на промежуточную частоту.