Схемотехника аналоговых электронных устройств

Использование ИСТ позволяет реализовать ДУ в виде экономичной ИМС, с КОСС порядка 100дБ.

При использовании ПТ характер построения ДУ не меняется, следует только учитывать особенности питания и термостабилизации ПТ.

5.4. Схемы включения ДУ

Можно выделить четыре схемы включения ДУ: симметричный вход и выход, несимметричный вход и симметричный выход, симметричный вход и несимметричный выход, несимметричный вход и выход.

Схема включения ДУ симметричный вход и выход приведена на рисунке 5.7 и в особых комментариях не нуждается, такая схема включения применяется при каскадировании ДУ.

Схема включения ДУ несимметричный вход и симметричный выход рассматривалась ранее (см. рисунок 4.9).

Схема включения ДУ симметричный вход и несимметричный выход приведена на рисунке 5.8.

Такая схема включения ДУ применяется в случае необходимости перехода от симметричного источника сигнала (либо симметричного тракта передачи) к несимметричной нагрузке (несимметричному тракту передачи). Нетрудно показать, что дифференциальный коэффициент усиления при таком включении будет равен половине при симметричной нагрузке. Вместо резисторов в ДУ часто используют транзисторы, выполняющие функции динамических нагрузок. В рассматриваемом варианте включения ДУ целесообразно использовать в качестве динамической нагрузки так называемое токовое зеркало, образованное транзисторами и (рисунок 5.9).

При подаче на базу транзистора положительной полуволны гармонического сигнала , в цепи транзистора (включенного по схеме диода) возникает приращение тока . За счет этого тока возникает приращение напряжения между базой и эмиттером , которое является приращением входного напряжения для транзистора . Таким образом, в цепи коллектор - эмиттер возникает приращение тока, практически равное , поскольку в ДУ плечи симметричны. В рассматриваемый момент времени на базу транзистора подается отрицательная полуволна входного гармонического сигнала . Следовательно, в цепи его коллектора появилось отрицательное приращение тока . При этом приращение тока нагрузки ДУ равно , т.е. ДУ с отражателем тока обеспечивает большее усиление дифференциального сигнала. Необходимо также отметить, что для рассматриваемого варианта ДУ в режиме покоя ток нагрузки равен нулю.

При несимметричном входе и выходе работа ДУ в принципе не отличается от случая несимметричный вход - симметричный выход. В зависимости от того, с какого плеча снимается выходной сигнал, возможно получение синфазного или противофазного выходного сигнала, как это получается в фазоинверсном каскаде на основе ДУ (см. подраздел 4.4).

5.5. Точностные параметры ДУ

К точностным параметрам ДУ относятся паразитные напряжения и токи, имеющие место в режиме покоя, но оказывающие влияние на качество усиления рабочего сигнала.

В реальном ДУ за счет асимметрии плеч на выходе устройства всегда присутствует паразитное напряжение между выходами. Для сведения его к нулю на вход (плеча) необходимо подать компенсирующий сигнал - напряжение смещения нуля , представляющее собой кажущийся входной дифференциальный сигнал.

Напряжение порождается, в основном, разбросом величин обратных токов эмиттерных переходов и (), и разбросом номиналов резисторов и (). Для этих напряжений можно записать:

,

.

Зависимость от температуры представляется еще одним точностным параметром - температурной чувствительностью. Температурная чувствительность имеет размерность мкВ/град и определяется как разность ТКН эмиттерных переходов транзисторов плеч и уменьшается пропорционально уменьшению .

Следующим точностным параметром ДУ является ток смещения , представляющий собой разбаланс (разность) входных токов (токов баз транзисторов). Протекая через сопротивление источника сигнала , ток смещения создает на нем падение напряжения, действие которого равносильно ложному дифференциальному сигналу. Ток смещения можно представить как

.

Средний входной ток также является точностным параметром ДУ. Его можно представить как

.

Протекая через , ток создает на нем падение напряжения, действующее как синфазный входной сигнал. Хотя и ослабленное в раз, оно все же вызовет на выходе ДУ разбаланс потенциалов.

Температурные зависимости тока смещения и среднего входного тока можно учесть через температурную зависимость . Отметим, что обычно .

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15	16	17	18	19	20	21	22	23	24	25	26	27	28	29	30	31	32	33	34	35	36	37	38	39	40	41	42	43	44	45