Студентам > Рефераты > Схемотехника аналоговых электронных устройств
Схемотехника аналоговых электронных устройствСтраница: 8/45
Рассмотрим влияние этих факторов на приращение тока коллектора . Начнем с влияния изменения , вызванного тепловым смещением проходных характеристик , обозначив при этом приращение тока коллектора как : ,
где - приращение напряжения , равное: |e | ,
где e - температурный коэффициент напряжения (ТКН),
e -3мВ/град., Т - разность между температурой коллекторного перехода
перехода и справочным значением этой температуры (обычно 25 C): ,
,
где  и соответственно, мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе в статическом режиме, и тепловое сопротивление “переход-среда”: ,
.
Ориентировочное значение теплового сопротивления зависит от конструкции корпуса транзистора и обычно для транзисторов малой и средней мощности лежит в следующих пределах: .
Меньшее тепловое сопротивление имеют керамические и металлические корпуса, большее - пластмассовые. Отметим, что берется положительным, хотя имеет знак минус, это поясняется на рисунке 2.17.
Определяем приращение тока коллектора , вызванного изменением обратного (неуправляемого) тока коллектора : ,
где приращение обратного тока равно: ,
где a - коэффициент показателя, для кремниевых транзисторов a=0,13.
Следует заметить, что значение , приводимое в справочной литературе, особенно для транзисторов средней и большой мощности, представляет собой сумму тепловой составляющей и поверхностного тока утечки, последний может быть на два порядка больше тепловой составляющей, и он практически не зависит от температуры. Следовательно, при определении следует пользоваться приводимыми в справочниках температурными зависимостями , либо уменьшать справочное значение примерно на два порядка (обычно для кремниевых транзисторов составляет порядка , и порядка для германиевых, n=(1 .9).
Приращение коллекторного тока, вызванного изменением , определяется соотношением: ,
где , отн. ед./град.
Полагая, что все факторы действуют независимо друг от друга, запишем: .
Для повышения термостабильности каскада применяют специальные схемы питания и термостабилизации. Эффективность таких схем коэффициентом термостабильности, который в общем виде представляется как: .
Учитывая различный вклад составляющих , разное влияние на них элементов схем термостабилизации, вводят для каждой составляющей свой коэффициент термостабильности, получая выражения для термостабилизированного каскада: .
Обычно , что обусловлено одинаковым влиянием на и элементов схем термостабилизации: .
Полученная формула может быть использована для определения усилительного каскада при любой схеме включения в нем БТ.
Рассмотрим основные схемы питания и термостабилизации БТ.
Термостабилизация фиксацией тока базы. Схема каскада представлена на рисунке 2.18.
определяется соотношением: ,
т.к. .
|